[发明专利]用于最优光电转换的整个太阳光谱倍增转换平台单元在审
申请号: | 201480048554.7 | 申请日: | 2014-09-03 |
公开(公告)号: | CN105518874A | 公开(公告)日: | 2016-04-20 |
发明(设计)人: | 兹比格卢·库茨尼奇;帕特里克·梅里埃斯 | 申请(专利权)人: | 赛腾高新技术公司 |
主分类号: | H01L31/055 | 分类号: | H01L31/055;H01L31/054 |
代理公司: | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人: | 陈燕娴 |
地址: | 法国*** | 国省代码: | 法国;FR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 最优 光电 转换 整个 太阳 光谱 倍增 平台 单元 | ||
1.一种倍增光电-光子以及光电转换平台单元,其前面具有一个保护抗反射 涂层或层(1)并且具有一个上电极层(5),其特征在于其包括:
.一个光电-电子平台,从而形成窄带光子带,适于相关的光电优化转换器, 该光电-电子平台由如下组成:
.UV辐射光到光下转换器(2)到可见光辐射域内的特定子带,
.具有电子钝化层(4)和分光装置的收割散射分级元件(3)以及一个或多 个自带光到窄带子带光浓缩转换器,从而引导和投射每一点集中窄带子带光到 下游光电适配和优化光电转换器上
.IR辐射上转换专用光转换器
.转换倍增平台,由若干针对每个窄带和浓缩子带光电倍增转换器构成,适 于它们在其自身暴露面上接收的每个相关的窄带和浓缩子带光谱。
2.根据权利要求1所述的倍增转换平台单元,其特征在于绕射级为一个或 多个数字级。
3.根据权利要求1所述的倍增转换平台单元,其特征在于进入窄带子带光 转换器的自带光为光到光的浓缩器。
4.根据权利要求1所述的倍增转换平台单元,其特征在于绕射级器件(3) 和子带光到光浓缩器合并在一起。
5.根据权利要求1所述的倍增转换平台单元,其特征在于UV光到光下转 换器(2)和绕射级器件(3)合并从而形成一个功能单元。
6.根据权利要求1所述的倍增转换平台单元,其特征在于IR辐射上转换 器件刚好位于光电-光子平台的后面。
7.根据权利要求1所述的倍增转换平台单元,其特征在于IR辐射上转换 器件刚好位于光电-光子平台的上面和后面,在其前面附近。
8.根据权利要求1所述的倍增转换平台单元,其特征在于IR辐射横向偏 移从而被转换,浓缩和投射在一个单独的适配关联优化倍增转换器,从而有效 转换或者直接用于加热水。
9.根据权利要求1所述的倍增转换平台单元,,其特征在于绕射级和IR辐 射上转换期间协同工作,采用这种方式转换的IR辐射被导向一个特殊的专用倍 增转换器,适用于投射的上转换子带。
10.根据权利要求1所述的倍增转换平台单元,其特征在于其包括至少两 个特殊专用设备,每个被优化用于给定的太阳能光谱子带。
11.根据前述任意一个权利要求所述的倍增转换平台单元,其特征在于所 有功能设备或装置采用薄层或薄平卷的形式实现,在硅材料内制成。
12.根据权利要求1所述的倍增转换平台单元,其特征在于UV光到光转 换器与嵌入在其顶部正前面层的硅纳米晶体一起起作用。
13.根据权利要求1所述的倍增转换平台单元,其特征在于UV光到光转 换器与嵌入在其顶部正前面层的稀土离子一起起作用。
14.根据权利要求1所述的倍增转换平台单元,其特征在于UV光到光转 换器与嵌入在数字绕射级其顶部挣钱面层凸起中的稀土离子一起起作用。
15.根据权利要求1所述的倍增转换平台单元,其特征在于IR光到光转换 器与嵌入在专用光电转换器前层中的稀土离子一起起作用。
16.在前述权利要求平台单元内执行的方法,其特征在于对于每个倍增转 换器,对应每个相关光谱子带的能量步骤的经过处理的光子通过光谱叠加或者 转换或者集中到与该能量步骤相关的该子带相应带宽范围的总倍增步骤第一部 分对应的窄带子带中。
17.根据权利要求16所述的方法,其特征在于转换和集中的子带代表非连 续光谱,其中每个子带采用相应的电子倍增序列优化,从而允许最有效的光电 转换。
18.根据权利要求16所述的方法,其特征在于转换和集中的子带适于每个 电子倍增序列/步骤的开始。
19.根据权利要求16所述的方法,其特征在于转换和集中的子带适于每个 电子倍增序列/步骤的开始。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于赛腾高新技术公司,未经赛腾高新技术公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201480048554.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的