[发明专利]分层硅石纳米膜的制造和其用于核酸的固相提取的用途在审

专利信息
申请号: 201480048600.3 申请日: 2014-07-28
公开(公告)号: CN105518120A 公开(公告)日: 2016-04-20
发明(设计)人: 泽-辉·王;张翼 申请(专利权)人: 约翰霍普金斯大学
主分类号: C12M1/12 分类号: C12M1/12;C12M1/14
代理公司: 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 代理人: 高瑜;郑霞
地址: 美国马*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 分层 硅石 纳米 制造 用于 核酸 提取 用途
【权利要求书】:

1.一种硅石纳米膜,所述硅石纳米膜包括涂覆有二氧化硅层的热收缩聚合物核,其中所述二氧化硅层的表面结构包括微米尺度褶皱结构和纳米尺度硅石片的分层形貌,所述纳米尺度硅石片具有从几十纳米至微米的大小。

2.如权利要求1所述的硅石纳米膜,其中所述二氧化硅层具有在2nm至500nm之间的厚度。

3.如权利要求1所述的硅石纳米膜,其中所述聚合物核具有在5μm和5mm之间的收缩厚度。

4.如权利要求1所述的硅石纳米膜,其中所述聚合物核具有在5μm和500μm之间的预收缩厚度。

5.如权利要求1所述的硅石纳米膜,其中所述聚合物核是平面的。

6.如权利要求1所述的硅石纳米膜,其中所述聚合物核是选自由以下组成的组的热塑性材料:聚烯烃、聚苯乙烯、聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚氯乙烯、聚乙烯、氟化乙烯丙烯、聚四氟乙烯、以及聚偏二氟乙烯。

7.如权利要求1所述的硅石纳米膜,其中所述硅石纳米膜具有方形形状或圆形形状。

8.如权利要求1所述的硅石纳米膜,其中所述二氧化硅层被衍生化。

9.如权利要求8所述的硅石纳米膜,其中所述二氧化硅层被用氨丙基、氯丙基、十八烷基、辛基、季铵基、二乙基氨乙基、磺酸基、苯基、生物素、链霉亲和素、抗体、或酶衍生化。

10.一种用于制备如权利要求1所述的硅石纳米膜的方法,所述方法包括:

a)将二氧化硅的层沉积至具有原始大小的聚合物膜或聚合物核上;以及

b)在足以允许所述聚合物膜或所述聚合物核收缩至其原始大小的0.1%至75%之间的温度和时间下,加热a)的组合物,并且

其中所述聚合物膜或所述聚合物核的所述收缩在所述硅石纳米膜上的硅石层的表面上产生微米尺度褶皱结构和纳米尺度硅石片的分层形貌,所述纳米尺度硅石片具有从几十纳米至微米的大小。

11.如权利要求10所述的方法,其中所述聚合物膜或所述聚合物核是平面的。

12.如权利要求10所述的方法,其中所述聚合物核具有在厚度5μm和500μm之间的预收缩厚度。

13.如权利要求10所述的方法,其中所述聚合物核是热塑性的,所述聚合物核是热可收缩的并且选自由以下组成的组:聚烯烃、聚苯乙烯、聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚氯乙烯、聚丙烯、聚乙烯、氟化乙烯丙烯、聚四氟乙烯、以及聚偏二氟乙烯。

14.如权利要求10所述的方法,其中所述二氧化硅层具有在2nm至500nm之间的厚度。

15.如权利要求10所述的方法,其中所述二氧化硅层通过化学气相沉积法、电泳沉积法、浸渍涂覆法、物理气相沉积法、电子束气相沉积法、溅射法、旋转涂覆法、或液相沉积法被沉积在所述聚合物核上,并且所述聚合物核是热塑性的。

16.如权利要求10所述的方法,在步骤b)其中所述组合物在100℉和500℉之间的温度被加热。

17.如权利要求16所述的方法,其中所述温度是250℉。

18.如权利要求10所述的方法,在步骤b)其中所述组合物被加热持续10秒至10分钟。

19.如权利要求18所述的方法,其中所述组合物被加热持续3分钟。

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