[发明专利]生产大块硅碳化物的方法

权利要求书

1.一种形成硅碳化物的方法，包含下列步骤i)提供升华炉，该升华炉包含炉壳、至少一个置于该炉壳外的加热元件、以及置于该炉壳内通过绝缘物围绕的热区，其中，该绝缘物包含多层纤维状热绝缘材料，该热区包含

a)具有上部区、下部区及一或多个通气孔的坩埚；

b)将该坩埚密封的坩埚盖；

c)置于该坩埚的该下部区中的实质固态硅碳化物先驱物，其中，该实质固态硅碳化物先驱物具有多孔性；

d)悬挂于该坩埚盖和该下部区之间的该坩埚的该上部区中的单独的独立式晶种模块，该晶种模块包含晶种保持器，该晶种保持器具有多个蒸汽释离开口和置于该晶种保持器内的硅碳化物晶种，该硅碳化物晶种具有顶部表面及底部表面，其中，该顶部表面曝露至该坩埚的该上部区，以及该底部表面面向该实质固态硅碳化物先驱物和该坩埚的该下部区，以及其中该多个蒸汽释离开口形成为在该晶种保持器上，如同该晶种保持器的中心轴周围的多个孔洞，该中心轴垂直于该硅碳化物晶种的该底部表面，以及

该多个孔洞形成在该晶种保持器中在该硅碳化物晶种的该底部表面下方；以及

e)一含有一或多个孔洞的蒸汽释离环，以及其中该蒸汽释离环置于该晶种保持器内或该晶种保持器的外侧与该坩埚之间，该孔洞的至少一者对准该坩埚的该通气孔的至少一者，

ii)以至少一该加热元件加热该热区，以使该实质固态硅碳化物先驱物升华，以及

iii)在该硅碳化物晶种的该底部表面上形成该硅碳化物。

2.如权利要求1所述的方法，其中，该实质固态硅碳化物先驱物被包含于来源模块内，以及其中，该来源模块置于该坩埚的该下部区中。

3.如权利要求2所述的方法，其中，该来源模块包含先驱物腔室，以及其中，该实质固态硅碳化物先驱物被包含于该先驱物腔室内。

4.如权利要求1所述的方法，其中，该实质固态硅碳化物先驱物的密度小于硅碳化物的密度。

5.如权利要求1所述的方法，其中，该硅碳化物的上表面包含有晶种保护层，该晶种保护层的厚度小于250微米。

6.如权利要求5所述的方法，其中，该晶种保护层的厚度小于100微米。

7.如权利要求5所述的方法，其中，该晶种保护层包含至少两个涂层。

8.如权利要求5所述的方法，其中，该晶种保护层包含至少一个硬化涂层。

9.如权利要求1所述的方法，其中，该硅碳化物晶种具有硅面及碳面，以及其中，该顶部表面为该硅面。

10.如权利要求1所述的方法，其中，该硅碳化物晶种具有硅面及碳面，以及其中，该顶部表面为该碳面。

11.如权利要求1所述的方法，其中，该热区沿着该炉壳内的中心轴而置。

12.如权利要求1所述的方法，其中，该纤维状热绝缘材料为石墨毡。

13.如权利要求1所述的方法，其中，该坩埚具有实质圆柱状。

14.如权利要求1所述的方法，其中，该坩埚的该上部区具有含上直径的实质圆柱状，以及该坩埚的该下部区具有含下直径的实质圆柱状，以及其中，该上直径大于该下直径。

15.如权利要求1所述的方法，其中，该加热元件为感应加热器。

16.如权利要求1所述的方法，其中，形成的该硅碳化物为顺着平行于该硅碳化物晶种的方向，具有实质圆形截面形状的硅碳化物梨晶。

17.如权利要求16所述的方法，其中，该硅碳化物梨晶包含具有至少两种碳质涂料的平坦表面。

18.如权利要求1所述的方法，其中，该硅碳化物具有小于8000/cm²的总缺陷数。