[发明专利]用来生产大块硅碳化物的器具

权利要求书

1.一种用于形成硅碳化物的升华炉，其包含炉壳、至少一个置于该炉壳外的加热元件、以及置于该炉壳内通过绝缘物围绕的热区，该热区包含

a)具有上部区及下部区的坩埚，其中，该绝缘物紧贴该上部区，但未紧贴该下部区，从而在该下部区与该绝缘物之间留下间隙；

b)将该坩埚密封的坩埚盖，该坩埚包含一或多个通气孔；

c)置于该坩埚的该下部区中的实质固态硅碳化物先驱物；

d)置于该坩埚的该上部区中的晶种模块，该晶种模块包含具有至少一蒸汽释离开口的晶种保持器及置于该晶种保持器内的硅碳化物晶种，该硅碳化物晶种具有顶部表面及底部表面，其中，该硅碳化物晶种的该顶部表面由该晶种模块悬挂以曝露至该坩埚的该上部区，该硅碳化物晶种的该底部表面曝露至该坩埚的该上部区，并且该底部表面面向该实质固态硅碳化物先驱物；以及

e)至少一含有一或多个孔洞的蒸汽释离环，其中该蒸汽释离环置于该晶种保持器的顶部，该多个孔洞的至少一者对准该坩埚的该通气孔的至少一者；

其中该热区进一步包括蒸汽穿过该蒸汽释离开口的路径于该晶种保持器中，并且经由该坩埚中至少一该通气孔散逸，该通气孔对准该蒸汽释离环的该孔洞。

2.如权利要求1所述的升华炉，其中该实质固态硅碳化物先驱物被包含于来源模块内，并且其中该来源模块置于该坩埚的该下部区中。

3.如权利要求2所述的升华炉，其中该来源模块包含先驱物腔室，并且其中该实质固态硅碳化物先驱物被包含于该先驱物腔室内。

4.如权利要求1所述的升华炉，其中该实质固态硅碳化物先驱物具有多孔性。

5.如权利要求4所述的升华炉，其中该实质固态硅碳化物先驱物的密度小于硅碳化物的密度。

6.如权利要求1所述的升华炉，其中该实质固态硅碳化物先驱物包含少于10％的粒状材料。

7.如权利要求1所述的升华炉，其中该实质固态硅碳化物先驱物包含少于5％的粒状材料。

8.如权利要求1所述的升华炉，其中该蒸汽释离开口的位置是在该硅碳化物晶种的该底部表面的下面。

9.如权利要求1所述的升华炉，其中该硅碳化物晶种的该顶部表面包含晶种保护层。

10.如权利要求9所述的升华炉，其中该晶种保护层的厚度小于约250微米。

11.如权利要求9所述的升华炉，其中该晶种保护层的厚度小于约100微米。

12.如权利要求9所述的升华炉，其中该晶种保护层包含至少两个涂层。

13.如权利要求9所述的升华炉，其中该晶种保护层包含至少一个硬化涂层。

14.如权利要求1所述的升华炉，其中该硅碳化物晶种具有硅面及碳面，并且其中该顶部表面为该硅面。

15.如权利要求1所述的升华炉，其中该硅碳化物晶种具有硅面及碳面，并且其中该顶部表面为该碳面。

16.如权利要求1所述的升华炉，其中该热区沿着该炉壳内的中心轴而置。

17.如权利要求1所述的升华炉，其中该绝缘物包含多层纤维状热绝缘材料。

18.如权利要求17所述的升华炉，其中该纤维状热绝缘材料为石墨毡。

19.如权利要求1所述的升华炉，其中该坩埚具有实质圆柱状。