[发明专利]尤其用于微光刻投影曝光设备的镜子有效

专利信息
申请号: 201480049179.8 申请日: 2014-06-25
公开(公告)号: CN105518532B 公开(公告)日: 2018-10-09
发明(设计)人: M.赫尔曼 申请(专利权)人: 卡尔蔡司SMT有限责任公司
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20;G21K1/06
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 侯宇
地址: 德国*** 国省代码: 德国;DE
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摘要:
搜索关键词: 尤其 用于 微光 投影 曝光 设备 镜子
【说明书】:

本发明涉及一种镜子,尤其是用于微光刻投影曝光设备的镜子。根据本发明的镜子(10、20、30、40)具有光学作用面(10a、20a、30a、40a)、镜子衬底(11、21、31、41)和用于反射撞击到所述光学作用面(10a、20a、30a、40a)上的电磁射线的反射层垛(14、24、34、44);其中在镜子衬底(11、21、31、41)与反射层垛(14、24、34、44)之间布置由III族氮化物构成的层(13、23、33、43),其中所述III族氮化物从包含氮化镓(GaN)、氮化铝(AlN)和铝镓氮化物(AlGaN)的组中选出。

本发明要求享有于2013年8月7日提交的德国专利申请DE 10 2013 215 541.7的优先权。该德国专利申请的内容通过参考引用(引置条款,,incorporation by reference“)而引入本申请文本中。

发明背景

技术领域

本发明涉及一种镜子、尤其是用于微光刻投影曝光设备的镜子。

背景技术

微光刻被用于制备微结构的组件,例如集成电路或LCD。微光刻工艺在所谓的投影曝光设备中进行,该设备具有照明设备和投影镜头。借助照明设备来照明的罩(即掩膜)的图像在此借助投影镜头投影到涂覆有光敏层(光刻胶)并且布置在投影镜头的图像平面中的衬底(例如硅片)上,以将罩结构转移到衬底的光敏层上。

在设计用于EUV区域的投影镜头中,即在波长例如约13nm或约7nm时,由于缺少可获得的适合透光的折射材料而使用镜子作为用于成像过程的光学组件。这样的EUV镜子具有镜子衬底和由多个层包构成的、用于反射撞击到光学作用面上的电磁射线的反射层垛。作为镜子衬底材料(例如在照明设备中)已知的是金属材料如铜或铝,或(例如在投影镜头中)无定形的镜子衬底材料如掺杂二氧化钛(TiO2)的石英玻璃(例如以商标ULE或Zerodur销售)。

因为在制备镜子时就精加工技术而言对各种(尤其是金属的)镜子衬底材料的充分抛光不能被容易地实现,所以通常使用额外的抛光层如由无定形硅(=a-Si)构成的抛光层,该抛光层能够以较高精度被加工。然而,在此在实践中另外还出现以下问题,即这样的抛光层以及必要时还有镜子衬底材料自身由于通过撞击着的EUV光线造成的射线加载而显示出例如基于压实效应的结构变化,这些结构变化再次影响所施加的反射层垛的几何结构和进而影响镜子的反射性能。

在投影曝光设备的运行中、由于通过EUV光造成的射线加载而产生的另一问题源自于镜子衬底材料自身的、取决于射线的老化效应,尤其是当例如上述无定形镜子衬底材料被应用于投影镜头中时。为了保护这样的镜子衬底材料以及必要时还有前述抛光层,使用保护层(简称:SPL=,,Substrate Protection Layer“=衬底保护层)也已证明是有意义的,所述保护层可以由在较强程度上吸收EUV光的材料制备。

关于现有技术,仅仅示例性地参考以下公开文献:A.Ionascut-Nedelcescu等人,“Radiation Hardness of Gallium Nitride”,IEEE Transactions on Nuclear ScienceVol.49(2002),第2733-2738页;Xueping Xu等人:“Fabrication of GaN wafers forelectronic and optoelectronic devices”,Optical Materials 23(2003),第1-5页以及P.J.Sellin等人:“New materials for radiation hard semiconductor detector”,CERN-OPEN-2005-005,第1-24页。

发明概述

本发明要解决的技术问题在于,提供一种镜子,尤其是用于微光刻投影曝光设备的镜子,其中特别有效地避免了不希望的由射线引起的层构造的结构变化和进而避免了不希望的对反射性能的不利影响。

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