[发明专利]镜面研磨晶圆的制造方法有效
| 申请号： | 201480049474.3 | 申请日： | 2014-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN105612605B | 公开（公告）日： | 2018-08-21 |
| 发明（设计）人： | 桥本浩昌;宇佐美佳宏;青木一晃;大葉茂 | 申请（专利权）人： | 信越半导体株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 谢顺星;张晶 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 研磨 制造 方法 | ||
1.一种镜面研磨晶圆的制造方法，其对于从硅晶棒切片而成的多片硅晶圆，以批次方式分别实施下述各工序来制造多片镜面研磨晶圆，这些工序包含：切片歪斜除去工序，其用于除去因所述切片而产生的表面的歪斜；蚀刻工序，其除去在所述切片歪斜除去工序中所产生的歪斜；以及，双面研磨工序，其将所述蚀刻后的硅晶圆的双面进行镜面研磨；其特征在于，
从在所述切片歪斜除去工序中的同一批次内已处理的所述硅晶圆当中，选择要在所述双面研磨工序中以批次方式处理的所述硅晶圆，且将该选择的硅晶圆的数量设定为与在所述切片歪斜除去工序中已处理的所述硅晶圆的数量相同或其约数，
选择在所述切片歪斜除去工序中的1个批次或多个批次内已处理的全部所述硅晶圆，作为在所述蚀刻工序中以批次方式处理的所述硅晶圆，由此将该选择的硅晶圆的数量设定为与在所述切片歪斜除去工序中已处理的所述硅晶圆的数量相同或其倍数。
2.根据权利要求1所述的镜面研磨晶圆的制造方法，其特征在于，在所述切片歪斜除去工序中，一边供给已混有游离磨粒的加工液，一边通过水晶定尺寸方式的定尺寸装置来测定所述硅晶圆的厚度，以研光所述硅晶圆，由此来除去所述硅晶圆的表面的歪斜。
3.根据权利要求1所述的镜面研磨晶圆的制造方法，其特征在于，在所述切片歪斜除去工序中，一边供给水，一边通过光反射干涉式的定尺寸装置来测定所述硅晶圆的厚度，且使所述硅晶圆的双面与磨削片滑动接触以进行磨削，由此来除去所述硅晶圆的表面的歪斜，其中，在该磨削片上粘固有磨粒，该磨粒所具有的粒径可将所述硅晶圆的表面粗糙度Ra磨削至0.3μm以下。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于信越半导体株式会社，未经信越半导体株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201480049474.3/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：在半导体喷墨印刷期间作为掩模的场屏蔽电介质
- 下一篇：摆动机构
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
