[发明专利]用作偏振敏感荧光探针的混合半导体聚合物纳米颗粒

权利要求书

1.一种偏振敏感纳米颗粒，包含：

半导体发色聚合物；和

基质，其中所述基质包含：

第一两亲性基质聚合物；和

第二两亲性基质聚合物，其中所述半导体发色聚合物质量的百分比为所述纳米颗粒的总质量的1％至5％。

2.如权利要求1所述的偏振敏感纳米颗粒，其特征在于，所述半导体发色聚合物是短链聚合物。

3.如权利要求1-2中任一项所述的偏振敏感纳米颗粒，其特征在于，所述半导体发色聚合物是疏水性的。

4.如权利要求1-2中任一项所述的偏振敏感纳米颗粒，其特征在于，所述半导体发色聚合物是聚[(9,9-二辛基芴基-2,7-二基)-交替-共-(1,4-苯并-{2,1’,3}-噻二唑)](PFBT)。

5.如权利要求1-2中任一项所述的偏振敏感纳米颗粒，其特征在于，所述第一两亲性基质聚合物选自基于聚(环氧乙烷)的共聚物、基于聚异丁烯的共聚物、基于聚苯乙烯的共聚物、基于聚(乙二醇)的共聚物或其组合。

6.如权利要求1-2中任一项所述的偏振敏感纳米颗粒，其特征在于，所述第一两亲性基质聚合物选自聚苯乙烯接枝聚(环氧乙烷)、70％十二烷基-枝接-聚(异丁烯-交替-马来酸酐)(P70)或其组合。

7.如权利要求1-2中任一项所述的偏振敏感纳米颗粒，其特征在于，所述第一两亲性基质聚合物是聚苯乙烯-枝接-聚(环氧乙烷)。

8.如权利要求1-2中任一项所述的偏振敏感纳米颗粒，其特征在于，所述第一两亲性基质聚合物是交替共聚物。

9.如权利要求1-2中任一项所述的偏振敏感纳米颗粒，其特征在于，所述第一两亲性基质聚合物包含能够共轭的第一官能团。

10.如权利要求9所述的偏振敏感纳米颗粒，其特征在于，所述第一官能团选自烷基、羰基、羧基或其组合。

11.如权利要求9所述的偏振敏感纳米颗粒，其特征在于，所述第一官能团是羧基。

12.如权利要求1-2中任一项所述的偏振敏感纳米颗粒，其特征在于，所述第二两亲性基质聚合物选自基于聚(环氧乙烷)的共聚物、基于聚异丁烯的共聚物、基于聚苯乙烯的共聚物、基于聚(乙二醇)的共聚物或其组合。

13.如权利要求1-2中任一项所述的偏振敏感纳米颗粒，其特征在于，所述第二两亲性基质聚合物选自聚苯乙烯接枝聚(环氧乙烷)、70％十二烷基-枝接-聚(异丁烯-交替-马来酸酐)(P70)或其组合。

14.如权利要求1-2中任一项所述的偏振敏感纳米颗粒，其特征在于，所述第二两亲性基质聚合物是70％十二烷基-枝接-聚(异丁烯-交替-马来酸酐)(P70)。

15.如权利要求1-2中任一项所述的偏振敏感纳米颗粒，其特征在于，所述第二两亲性基质聚合物是交替共聚物。

16.如权利要求1-2中任一项所述的偏振敏感纳米颗粒，其特征在于，所述第二两亲性基质聚合物包含能够共轭的第二官能团。

17.如权利要求16所述的偏振敏感纳米颗粒，其特征在于，所述第二官能团选自烷基、羰基、羧基，或其组合。

18.如权利要求17所述的偏振敏感纳米颗粒，其特征在于，所述第二官能团是羧基。