[发明专利]用于制造由嵌段共聚物成分获得的厚的纳米结构化膜的方法

权利要求书

1.一种用于制造由嵌段共聚物成分获得的、具有最少缺陷的、厚的纳米结构化膜的方法，所述嵌段共聚物成分的分散度呈现在1.24和2之间的值，所述方法包括以下阶段：

-制备嵌段共聚物成分，所述嵌段共聚物成分的分散度呈现在1.24和2之间的值，

-将所述成分以溶液或不以溶液沉积在表面上，

-退火，

其中所述嵌段共聚物成分通过共混多种嵌段共聚物制备。

2.如权利要求1所述的方法，其中所获得的膜呈现最少的取向缺陷、配位数缺陷或距离缺陷以及大的单晶表面。

3.如权利要求1或2所述的方法，其中所述嵌段共聚物成分的数均分子量在1000和300000g/mol之间。

4.如权利要求1或2所述的方法，其中所述嵌段共聚物成分的数均分子量在10 000和250 000g/mol之间。

5.如权利要求1或2所述的方法，其中所述成分呈现多峰色谱图。

6.如权利要求1或2所述的方法，其中所述嵌段共聚物成分为二嵌段共聚物成分。

7.如权利要求6所述的方法，其中所述嵌段共聚物成分由PS-PMMA二嵌段共聚物组成。

8.如权利要求1或2所述的方法，其中所述嵌段共聚物成分通过受控的自由基聚合制备。

9.如权利要求8所述的方法，其中进行氮氧自由基调控的自由基聚合。

10.如权利要求9所述的方法，其中进行氮氧自由基调控的自由基聚合，所述氮氧自由基为N-(叔丁基)-1-二乙基膦酰基-2,2-二甲基丙基氮氧自由基。

11.如权利要求1或2所述的方法，其中所述嵌段共聚物成分通过阴离子聚合制备。

12.如权利要求1或2所述的方法，其中所述嵌段共聚物成分通过开环聚合制备。

13.如权利要求1或2所述的方法，其中膜的厚度在20和300nm之间。

14.如权利要求1或2所述的方法，其中所述表面是自由的。

15.如权利要求1或2所述的方法，其中所述表面呈现引导结构。

16.如权利要求1或2所述的方法，其中通过热处理进行退火。

17.如权利要求1或2所述的方法，其中通过溶剂蒸发处理进行退火。

18.如权利要求1或2所述的方法，其中通过热处理和溶剂蒸发处理的组合进行退火。

19.如前述权利要求中任一项所述的方法在产生纳米级的纳米结构化膜或光刻掩模中的用途。

20.根据权利要求19获得的光刻掩模。