[发明专利]具有ESD保护的LED芯片

权利要求书

1.一种倒装芯片型发光二极管芯片，包括：

基底；

发光二极管部件，置于所述基底上；

反向并联二极管部件，置于所述基底上并连接到所述发光二极管部件；

反射电极；

第一电极垫和第二电极垫；以及

电流扩散层，

其中，所述发光二极管部件和所述反向并联二极管部件中的每个包括：第一导电型氮化物基半导体层；第二导电型氮化物基半导体层；有源层，置于所述第一导电型氮化物基半导体层和所述第二导电型氮化物基半导体层之间，

其中，反射电极置于所述发光二极管部件的所述第二导电型氮化物基半导体层上，

其中，第一电极垫置于所述反射电极上且置于所述发光二极管部件上，第二电极垫置于所述发光二极管部件和所述反向并联二极管部件上方，

其中，电流扩散层置于所述反射电极和所述第一电极垫之间，并且电连接到所述发光二极管部件的所述第一导电型氮化物基半导体层和所述反向并联二极管部件的所述第二导电型氮化物基半导体层，

其中，所述电流扩散层与所述反射电极绝缘。

2.根据权利要求1所述的倒装芯片型发光二极管芯片，其中，所述第一电极垫电连接到所述发光二极管部件的所述第一导电型氮化物基半导体层和所述反向并联二极管部件的所述第二导电型氮化物基半导体层。

3.如权利要求2所述的倒装芯片型发光二极管芯片，其中，所述第二电极垫电连接到所述发光二极管部件的所述第二导电型氮化物基半导体层和所述反向并联二极管部件的所述第一导电型氮化物基半导体层。

4.如权利要求1所述的倒装芯片型发光二极管芯片，其中，所述电流扩散层覆盖所述发光二极管部件和所述反向并联二极管部件，并且具有暴露所述发光二极管部件上的所述反射电极的开口以及暴露所述反向并联二极管部件的所述第一导电型氮化物基半导体层的开口。

5.如权利要求4所述的倒装芯片型发光二极管芯片，其中，通过所述电流扩散层的开口暴露的所述反射电极和所述第一导电型氮化物基半导体层通过所述第二电极垫彼此电连接。

6.如权利要求1所述的倒装芯片型发光二极管芯片，其中，所述反向并联二极管部件包括在相反方向上连接的两个二极管。

7.如权利要求6所述的倒装芯片型发光二极管芯片，其中，所述两个二极管对齐以面向阴极。

8.如权利要求7所述的倒装芯片型发光二极管芯片，其中，所述两个二极管共用所述阴极。

9.如权利要求6所述的倒装芯片型发光二极管芯片，其中，所述第一电极垫电连接到所述发光二极管部件的所述第一导电型氮化物基半导体层和所述两个二极管中的一个二极管的所述第二导电型氮化物基半导体层。

10.如权利要求9所述的倒装芯片型发光二极管芯片，其中，所述第二电极垫电连接到所述发光二极管部件的所述第二导电型氮化物基半导体层以及另一个二极管的所述第二导电型氮化物基半导体层。