[发明专利]磁光材料及其制造方法、以及磁光设备

权利要求书

1.磁光材料，其特征在于，为由下述式(1)表示的复合氧化物构成的烧结体，

Tb₂R₂O₇ (1)

式中，R为选自硅、锗、钽、锡、铪、锆中的至少1种元素，其中，对于硅、锗及钽，不包括单独为硅元素、单独为锗元素及单独为钽元素的情形，

所述磁光材料包含由其粉末X射线衍射结果算出的烧绿石化率在所述式(1)中的R为锆单独的情况下为51.5％以上、R为其以外的情况下为97.3％以上的透明陶瓷，

所述磁光材料在波长1064nm下的维尔德常数为0.14分钟/(Oe·cm)以上。

2.权利要求1所述的磁光材料，其特征在于，使光程长为10mm，以光束直径1.6mm使波长1064nm的激光入射的情况下，不产生热透镜的激光的入射功率的最大值为30W以上。

3.权利要求1或2所述的磁光材料，其中，每10mm光程长的波长1064nm的光的直线透射率为90％以上。

4.权利要求1或2所述的磁光材料，其中，上述透明陶瓷中的平均烧结粒径为2.5μm以下。

5.磁光材料的制造方法，其中，将氧化铽粉末、和选自硅、锗、钽、锡、铪、锆中的至少1种的氧化物粉末在坩埚内焙烧，其中，对于硅、锗及钽，不包括单独为硅元素、单独为锗元素及单独为钽元素的情形，作为由下述式(1’)表示的复合氧化物的焙烧原料，制作由其粉末X射线衍射结果算出的烧绿石化率在所述式(1’)中的R’为锆单独的情况下为41.5％以上、R’为其以外的情况下为50％以上的焙烧原料，

Tb₂R’₂O₇ (1’)

式中，R’为选自硅、锗、钽、锡、铪、锆中的至少1种元素，其中，对于硅、锗及钽，不包括单独为硅元素、单独为锗元素及单独为钽元素的情形,

将该焙烧原料粉碎而制成原料粉末，使用该原料粉末加压成型为规定形状后烧结，进而进行热等静压处理，得到在波长1064nm下的维尔德常数为0.14分钟/(Oe·cm)以上的透明陶瓷的烧结体，其是由下述式(1)表示的复合氧化物构成的烧结体，

Tb₂R₂O₇ (1)

式中，R为选自硅、锗、钽、锡、铪、锆中的至少1种元素，其中，对于硅、锗及钽，不包括单独为硅元素、单独为锗元素及单独为钽元素的情形。

6.权利要求5所述的磁光材料的制造方法，其特征在于，上述焙烧温度为1200℃以上、并且比其以后进行的烧结温度低的温度。

7.磁光设备，其特征在于，使用权利要求1～4的任一项所述的磁光材料而构成。

8.权利要求7所述的磁光设备，其为具备上述磁光材料作为法拉第转子、在该法拉第转子的光学轴上的前后具备偏振材料的能在波段0.9μm以上且1.1μm以下利用的光隔离器。

9.权利要求8所述的磁光设备，其特征在于，上述法拉第转子在其光学面具有防反射膜。