[发明专利]光学指纹传感器有效

专利信息
申请号: 201480050075.9 申请日: 2014-09-17
公开(公告)号: CN105723381B 公开(公告)日: 2019-06-04
发明(设计)人: 金基中;许智镐;崔淳皓 申请(专利权)人: 硅显示技术有限公司
主分类号: G06K9/00 分类号: G06K9/00
代理公司: 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 代理人: 龙淳
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 光学 指纹 传感器
【权利要求书】:

1.一种光学指纹传感器,包括:

辐射光的背光单元;

第一针孔透镜,在其中形成有孔,透射从所述背光单元辐射并由与所述孔垂直对称的用户指纹反射的光,并阻止除该光之外的其他光;

光电传感器单元,设置在所述第一针孔透镜下方,并感测穿过所述第一针孔透镜的孔的光;以及

第一钝化绝缘膜,形成在所述第一针孔透镜上方,

其中,所述光学指纹传感器的每个像素的间距可由下面的等式1得到:

[等式1]

其中,P是光学指纹传感器的每个像素的间距,A是第一针孔透镜的孔的直径,T是第一针孔透镜的厚度,D是第一钝化绝缘膜的厚度。

2.根据权利要求1所述的光学指纹传感器,还包括切换由所述光电传感器单元产生的信号的薄膜晶体管。

3.根据权利要求2所述的光学指纹传感器,其中所述薄膜晶体管包括共面、错列、反向共面和反向错列的薄膜晶体管中的任一个。

4.根据权利要求2所述的光学指纹传感器,其中所述薄膜晶体管包括:

衬底;

在衬底上方形成的缓冲层;

在所述缓冲层上方形成的半导体有源层;

在所述半导体有源层上方形成的栅极绝缘膜;

在所述栅极绝缘膜上方形成的栅电极;

在所述栅电极上方形成的层间介电膜;以及

形成在所述栅极绝缘膜和所述层间介电膜中形成的导通孔中的源电极和漏电极。

5.根据权利要求4所述的光学指纹传感器,其中所述半导体有源层是低温多晶硅半导体、非晶硅半导体和氧化物半导体中的任一个。

6.根据权利要求4所述的光学指纹传感器,其中所述衬底是绝缘衬底、玻璃衬底和金属衬底中的任一个。

7.根据权利要求4所述的光学指纹传感器,其中所述光电传感器单元包括:

在从所述薄膜晶体管的漏电极延伸的电极上方形成的光电传感器;

在所述光电传感器上方形成的透明电极;

在所述透明电极上方形成的钝化层;和

形成在所述钝化层中形成的导通孔中并且连接到所述透明电极的偏置电极。

8.根据权利要求7所述的光学指纹传感器,其中所述光电传感器包括非晶硅光电二极管、有机光电传感器和量子点中的任一个。

9.根据权利要求1所述的光学指纹传感器,还包括在所述第一钝化绝缘膜上方形成的第二针孔透镜。

10.根据权利要求9所述的光学指纹传感器,还包括在所述第二针孔透镜上方形成的第二钝化绝缘膜。

11.根据权利要求9所述的光学指纹传感器,其中所述第一针孔透镜和所述第二针孔透镜中的至少一个由金属或有机材料制成。

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