[发明专利]通过选择性沉积形成的超薄金属线

权利要求书

1.一种形成半导体装置的方法，所述方法包括：

在设在电介质材料内的开口内和所述电介质材料的水平上表面上形成共形衬垫层；

从所述开口的底部和所述水平上表面移除所述共形衬垫层，以沿着所述开口的侧壁形成一对衬垫区；

在所述电介质材料中所形成的所述开口中形成一对金属线，其中该对金属线的第一金属线直接与该对衬垫区中一个衬垫区的侧壁表面相接触，并且该对金属线的第二金属线直接与该对衬垫区中的另一个衬垫区的侧壁表面相接触；以及

在所述开口中并在该对金属线的侧壁表面上形成中心区，其中每个金属线的最底面与每个衬垫区、所述中心区以及所述电介质材料的最底面共面。

2.根据权利要求1所述的方法，其中在所述电介质材料中所形成的所述开口中形成该对金属线包括：

通过选择性沉积技术形成一对金属线。

3.根据权利要求1所述的方法，其中在所述开口中形成所述中心区包括：

通过选择性沉积技术在该对金属线上形成一对扩散阻挡物，该对扩散阻挡物被所述开口的底部的一部分分隔开；以及

在所述开口的底部的所述部分上形成电介质区。

4.根据权利要求1所述的方法，其中在所述开口中形成所述中心区包括：

通过选择性沉积技术在该对金属线上形成一对扩散阻挡物，该对扩散阻挡物被所述开口的底部的一部分分隔开；

在该对扩散阻挡物的上部之间形成电介质帽盖；以及

保留所述电介质帽盖之下的区域不填充，以形成由所述开口的底部的所述部分、该对扩散阻挡物以及所述电介质帽盖限定的空气间隙区。

5.根据权利要求1所述的方法，其中在所述开口中形成所述中心区包括：

在所述电介质材料、该对衬垫区、该对金属线以及所述开口的底部之上形成共形层；

从所述电介质材料的上表面、该对衬垫区的上表面以及该对金属线的上表面移除所述共形层的一部分以形成隔离层，所述隔离层具有与该对金属线相接触的侧面部分以及在所述侧面部分之间与所述开口的底部相接触的底部部分；以及

在所述隔离层的底部部分上并在所述隔离层的所述侧面部分之间形成电介质区。

6.根据权利要求1所述的方法，其中在所述开口中形成所述中心区包括：

在所述电介质材料、该对衬垫区、该对金属线以及所述开口的底部之上形成共形层；

从所述电介质材料的上表面、该对衬垫区的上表面以及该对金属线的上表面移除所述共形层的一部分以形成隔离层，所述隔离层具有与该对金属线相接触的侧面部分以及在所述侧面部分之间与所述开口的所述底部相接触的底部部分；

在所述隔离层的所述侧面部分的上部之间形成电介质帽盖；以及

保留所述电介质帽盖之下的区域不填充，以形成由所述隔离层的侧面部分、所述隔离层的底部部分以及所述电介质帽盖限定的空气间隙区。

7.一种形成半导体装置的方法，所述方法包括：

在半导体衬底上形成电介质层；

在所述电介质层中形成开口，所述开口具有侧壁并且从所述电介质层的上表面延伸到所述半导体衬底的上表面；

在所述开口内和所述电介质层的上表面上形成共形衬垫层；

从所述半导体衬底的上表面和所述电介质层的上表面移除所述共形衬垫层，以在所述开口的侧壁上形成一对衬垫区，该对衬垫区具有与所述电介质层的上表面基本上共面的上表面并具有侧壁；

在该对衬垫区的侧壁上形成一对金属线，该对金属线具有侧壁；

在该对金属线的侧壁上形成阻挡物区；以及

在所述阻挡物区之间形成电介质区，其中每个金属线的最底面与每个衬垫区、每个阻挡物区、所述电介质区和所述电介质层的最底面共面。

8.根据权利要求7所述的方法，其中在该对衬垫区的侧壁上形成该对金属线包括：

使用选择性沉积技术来仅在该对衬垫区上沉积金属。