[发明专利]为使沉积留存增加而用于表面纹理化的几何形状和图案有效
申请号: | 201480050497.6 | 申请日: | 2014-08-26 |
公开(公告)号: | CN105531796B | 公开(公告)日: | 2018-10-12 |
发明(设计)人: | 王建奇;威廉·明谕·吕;西村由香里;约瑟夫·F·萨默斯;罗绍安;拉扬·巴勒森 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;赵静 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 沉积 留存 增加 用于 表面 纹理 几何 形状 图案 | ||
1.一种物件,所述物件具有经图案化的表面以增强沉积膜的留存,所述物件包括:
处理腔室部件,所述处理腔室部件具有一个或更多个经设计的特征结构所形成的宏观纹理化表面,所述一个或更多个经设计的特征结构被布置成避免跨越所述宏观纹理化表面形成视线表面,其中所述宏观纹理化表面包括一个或更多个结构,所述一个或更多个结构包括:
顶表面;和
突出结构,所述突出结构具有圆形边缘,所述突出结构沿着所述一个或更多个结构的侧壁设置,其中所述突出结构始于所述一个或更多个结构的顶表面,并且在所述一个或更多个结构的每一个的所述顶表面的中央区域内形成凹槽,所述凹槽位于所述突出结构径向向内。
2.如权利要求1所述的物件,其中一个或更多个结构包括圆柱形,所述圆柱形具有圆形顶表面,其中在所述一个或更多个结构中形成凹槽。
3.如权利要求2所述的物件,其中所述经设计的特征结构的深度大于所述凹槽的深度。
4.如权利要求2所述的物件,其中所述凹槽具有凹表面。
5.如权利要求4所述的物件,其中所述凹槽的所述凹表面适于对沉积在所述凹槽的所述表面上的膜施加压缩力。
6.如权利要求1所述的物件,其中所述经设计的特征结构由形成六角形蜂窝图案的壁所界定。
7.如权利要求6所述的物件,其中在形成所述六角形蜂窝图案的所述壁之间形成沟槽。
8.如权利要求7所述的物件,其中所述沟槽的表面为凹形。
9.如权利要求1所述的物件,其中形成所述纹理化表面的所述经设计的特征结构在整个所述纹理化表面上具有均匀的形状、尺寸和分布的至少之一。
10.如权利要求1所述的物件,其中所述经设计的特征结构被布置成预定图案。
11.如权利要求1所述的物件,其中所述经设计的特征结构被紧密堆积。
12.如权利要求1所述的物件,其中所述经设计的特征结构的一个或更多个特征结构具有凹表面。
13.如权利要求1所述的物件,其中所述经设计的特征结构形成分离的支柱。
14.一种物件,所述物件具有经图案化的表面以增强沉积膜留存,所述物件包括:
处理腔室部件,所述处理腔室部件具有经设计的特征结构所形成的宏观纹理化表面,所述经设计的特征结构被布置为预定图案,以避免跨越所述宏观纹理化表面形成视线表面,所述经设计的特征结构被布置为预定图案,其中所述经设计的特征结构包括具有凹形的表面和一个或更多个结构,所述一个或更多个结构限定所述宏观纹理化表面,所述结构包括:
圆形突出结构,所述圆形突出结构沿着所述一个或更多个结构的侧壁设置,并且所述圆形突出结构从所述一个或更多个结构的顶表面径向向外延伸,其中在所述一个或更多个结构的所述顶表面的中央区域内形成凹形的凹槽,并且所述凹槽位于所述圆形突出结构径向向内。
15.如权利要求14所述的物件,其中所述经设计的特征结构由形成六角形蜂窝图案的壁所界定。
16.如权利要求15所述的物件,其中所述经设计的特征结构由形成凸丘的结构所界定,所述凸丘具有形成于其中的凹形凹槽。
17.如权利要求14所述的物件,其中所述经设计的特征结构被紧密堆积,并且其中所述经设计的特征结构形成分离的支柱。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造