[发明专利]黑色氮氧化钛粉末及使用其的半导体封装用树脂化合物在审
申请号: | 201480050748.0 | 申请日: | 2014-12-17 |
公开(公告)号: | CN105531318A | 公开(公告)日: | 2016-04-27 |
发明(设计)人: | 影山谦介;石黑茂树 | 申请(专利权)人: | 三菱材料电子化成株式会社 |
主分类号: | C08L63/00 | 分类号: | C08L63/00;C01G23/00;C08K3/28;C08K9/06;C08L101/00;H01L23/29;H01L23/31 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 朴圣洁;王珍仙 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 黑色 氧化 粉末 使用 半导体 封装 树脂 化合物 | ||
1.一种黑色氮氧化钛粉末,其用于半导体封装用树脂化合物,其中
该黑色氮氧化钛粉末具备黑色氮氧化钛的粉末母体及包覆该粉末母体表面的厚度 为2.5~12nm的二氧化硅薄膜,在以5MPa的压力压制的压坯的状态下的体积电阻率 为1×105Ω·cm以上,并在CIE1976L*a*b*颜色空间中的亮度指数L*值为14以下,其 中测定用光源C:色温6774K。
2.一种半导体封装用树脂化合物,其中
权利要求1所述的黑色氮氧化钛粉末分散在环氧树脂、固化剂、固化促进剂及无 机填充剂的混合物中。
3.根据权利要求2所述的半导体封装用树脂化合物,其中
相对于所述环氧树脂、所述固化剂、所述固化促进剂及所述无机填充剂的混合物 与所述黑色氮氧化钛粉末的合计量100质量%,所述黑色氮氧化钛粉末的含量比为 0.05~10质量%。
4.根据权利要求3所述的半导体封装用树脂化合物,其中
α射线释放量为0.1cph/cm2以下。
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