[发明专利]衬底背面纹理

权利要求书

1.一种用于确定在光刻工具上加工的半导体衬底的背面纹理的方法，包括：

确定所述光刻工具上的用于所述半导体衬底的一个或更多个接触区域；

至少部分地基于以下来确定所述半导体衬底的背面表面纹理：

所述半导体衬底在所述半导体衬底的一个或更多个部分处的背面特征的频率，

在所述半导体衬底的所述一个或更多个部分处的所述背面特征的幅度，或者

所述一个或更多个接触区域的尺寸；以及

加工所述半导体衬底以获得目标背面表面纹理，所述目标背面表面纹理使所述衬底与所述一个或更多个接触区域之间的摩擦系数减小，所述目标背面表面纹理包括以所述一个或更多个接触区域的宽度的1/5至1/10为周期出现的背面特征。

2.根据权利要求1所述的方法，其中经加工的背面以每毫米不超过70个接触点的频率接触所述一个或更多个接触区域中的每一个。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述背面特征的所述幅度彼此之间偏差不超过10nm。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述加工包括：

利用至少一种化学试剂从所述半导体衬底的所述背面去除一个或更多个膜；

利用至少一种化学试剂从所述背面去除所述半导体衬底的所述背面的材料；

利用至少一种化学试剂改变所述半导体衬底的所述背面的材料特征或性质；或者

其组合。

5.根据权利要求4所述的方法，其中所述至少一种化学试剂包括以下中的一种或更多种：TMAH、HF、HF+硝酸、H₃PO₄、NH₄F、KOH、HF+H₂O₂、NH₄OH、NH₄OH+H₂O₂、HMDS、或IPA+NH₄F。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述加工包括：利用旋转装置对所述背面进行抛光，去除所述半导体衬底的至少一部分或者附着于所述半导体衬底的所述背面的成分。

7.根据权利要求6所述的方法，其中所述加工包括在所述抛光期间使用化学浆料。

8.根据权利要求6所述的方法，其中所述加工包括利用随所述抛光采用的至少一种化学试剂来去除所述背面的一个或更多个膜和/或材料。

9.一种用于改善半导体衬底的背面纹理的方法，包括：

确定将用以加工所述半导体衬底的光刻工具，所述光刻工具包括一个或更多个接触区域，所述一个或更多个接触区域将在所述光刻工具中的曝光工艺期间支承所述半导体衬底；以及

加工所述半导体衬底以获得背面纹理，所述背面纹理至少部分地基于所述一个或更多个接触区域与所述半导体衬底的背面的形貌的宽度对比，所述背面纹理包括以所述一个或更多个接触区域的宽度的1/5至1/10为周期出现的背面特征。

10.根据权利要求9所述的方法，其中所述形貌至少部分地基于所述半导体衬底的所述背面上的特征之间峰到峰的距离。

11.根据权利要求9所述的方法，其中所述形貌至少部分地基于所述半导体衬底的所述背面上的所述特征的幅度。

12.根据权利要求9所述的方法，其中所述背面纹理包括表示峰到峰的距离的周期，所述表示峰到峰的距离的周期小于对于所述半导体衬底的所述背面的至少一部分的所述一个或更多个接触区域的宽度。

13.根据权利要求9所述的方法，其中所述背面纹理还包括垂直距离分量，在跨所述半导体衬底的所述背面的至少一部分所述垂直距离分量在50nm内。