[发明专利]用于利用循环蚀刻工艺对蚀刻停止层进行蚀刻的方法

权利要求书

1.一种用于对蚀刻停止层进行蚀刻的方法，所述方法包括以下步骤：

(a)通过将处理气体混合物供应至处理腔室中以处理氮化硅层来对基板执行处理工艺，所述基板具有设置在所述基板上的所述氮化硅层；

(b)通过将化学蚀刻气体混合物供应至所述处理腔室中以对所述基板执行化学蚀刻工艺，其中所述化学蚀刻气体混合物至少包括氨气和三氟化氮，其中所述化学蚀刻工艺蚀刻所述经处理的氮化硅层；以及

重复地执行步骤(a)-步骤(b)以蚀刻所述氮化硅层，直到位于下方的基板被暴露为止。

2.如权利要求1所述的方法，所述方法进一步包括以下步骤：

(c)在执行步骤(b)之后通过将过渡气体混合物供应至所述处理腔室中来对所述经蚀刻的基板执行过渡工艺。

3.如权利要求2所述的方法，其中所述过渡气体混合物至少包括含氢气体、含氮气体或惰性气体。

4.如权利要求2所述的方法，所述方法进一步包括以下步骤：

重复地执行步骤(a)-步骤(c)以蚀刻所述氮化硅层，直到位于下方的基板被暴露为止。

5.如权利要求1所述的方法，其中所述处理气体混合物至少包括含氢气体、含氮气体或惰性气体。

6.如权利要求1所述的方法，其中对所述基板执行所述处理工艺的步骤进一步包括以下步骤：

将RF偏置功率施加至所述处理气体混合物。

7.如权利要求1所述的方法，其中对所述基板执行所述化学蚀刻工艺的步骤进一步包括以下步骤：

将RF源功率施加至位于所述处理腔室远程的所述化学蚀刻气体混合物。

8.如权利要求2所述的方法，其中执行所述过渡工艺的步骤进一步包括以下步骤：

在不施加RF功率的情况下，供应所述过渡气体混合物以去除蚀刻残余物。

9.如权利要求1所述的方法，其中对所述基板执行所述化学蚀刻工艺的步骤进一步包括以下步骤：

在所述化学蚀刻气体混合物中以从5:1起的摩尔比来供应所述氨气和所述三氟化氮。

10.如权利要求1所述的方法，所述方法进一步包括以下步骤：

将基板温度维持在50℃与150℃之间。

11.如权利要求1所述的方法，其中所述氮化硅层是用于半导体器件中的接触结构中的蚀刻停止层。

12.一种用于对蚀刻停止层进行蚀刻的方法，所述方法包括以下步骤：

(a)在处理腔室中移送基板，所述基板具有设置在所述基板上的氮化硅层，其中设置在所述氮化硅层上的经图案化的氧化硅层以及经图案化的掩模层使所述氮化硅层的部分暴露；

(b)供应处理气体混合物以处理所述氮化硅层的所述被暴露部分，其中所述处理气体混合物包括惰性气体；

(c)将化学蚀刻气体混合物供应至所述处理腔室中，其中所述化学蚀刻气体混合物至少包括氨气和三氟化氮以蚀刻所述经处理的氮化硅层；以及

重复地执行步骤(b)和(c)，直到所述氮化硅层的所述被暴露部分从所述基板上被去除为止。

13.如权利要求12所述的方法，所述方法进一步包括以下步骤：

(d)在执行步骤(c)之后将过渡气体混合物供应至所述处理腔室，其中所述过渡气体混合物包括惰性气体。