[发明专利]用于稳定蚀刻后界面以使下一处理步骤之前的队列时间问题最小化的方法

权利要求书

1.一种用于蚀刻设置在基板上的电介质阻挡层的方法，所述方法顺序地包含以下步骤：

将基板转移到蚀刻处理腔室中，所述基板具有设置在所述基板上的电介质阻挡层；

对所述电介质阻挡层的被暴露表面执行等离子体处理工艺，以将所述电介质阻挡层活化成激发态，从而促进所述电介质阻挡层的去除；

在供应至所述蚀刻处理腔室中的蚀刻气体混合物中远程地生成等离子体以蚀刻设置在所述基板上的经处理的所述电介质阻挡层；

对所述电介质阻挡层进行等离子体退火以将所述电介质阻挡层从所述基板去除；以及

在将所述电介质阻挡从所述基板去除之后，形成界面保护层。

2.如权利要求1所述的方法，其中在所述蚀刻气体混合物中远程地生成所述等离子体的步骤进一步包含以下步骤：

在所述蚀刻气体混合物中，以5:1至30:1的摩尔比来供应氨气和三氟化氮。

3.如权利要求1所述的方法，其中在所述蚀刻气体混合物中远程地生成所述等离子体的步骤进一步包含以下步骤：

将基板温度维持在小于100摄氏度。

4.如权利要求1所述的方法，其中对所述电介质阻挡层进行等离子体退火的步骤进一步包含以下步骤：

使蚀刻副产物从所述基板升华。

5.如权利要求1所述的方法，其中所述电介质阻挡层是碳化硅层。

6.如权利要求1所述的方法，其中在所述蚀刻气体混合物中远程地生成所述等离子体的步骤进一步包含以下步骤：

施加RF源功率以从所述蚀刻气体混合物远程地生成所述等离子体。

7.如权利要求6所述的方法，其中所述RF源功率具有80 KHz的频率。

8.如权利要求1所述的方法，其中形成所述界面保护层的步骤进一步包含以下步骤：

将伴随至少一种载气的聚合物气体供应至所述蚀刻处理腔室中。

9.如权利要求8所述的方法，其中所述载气是以下各项中的至少一种：氩气(Ar)、氦气(He)、一氧化氮(NO)、一氧化碳(CO)、一氧化二氮(N₂O)、氧气(O₂)或氮气(N₂)。

10.如权利要求8所述的方法，其中所述聚合物气体是以下各项中的至少一种：氟烷基聚氧化乙烯、聚二甲基硅氧烷、三甲基硅烷、四甲基硅烷、八甲基环四硅烷(OMCTS)或六甲基二硅烷(HMDS)。

11.如权利要求1所述的方法，其中所述界面保护层是氧化硅层。

12.如权利要求1所述的方法，其中对所述电介质阻挡层进行等离子体退火以去除所述基板上的所述电介质阻挡层的步骤进一步包含以下步骤：

在去除所述电介质阻挡层之后，使设置在所述基板中的导电层暴露。

13.如权利要求1所述的方法，其中对所述电介质阻挡层进行等离子体退火的步骤进一步包含以下步骤：

施加小于300瓦特的RF偏置功率以生成等离子体，从而对所述基板进行等离子体退火。

14.如权利要求1所述的方法，其中对所述电介质阻挡层进行等离子体退火的步骤进一步包含以下步骤：

将基板温度维持在20摄氏度与150摄氏度之间。

15.一种用于蚀刻设置在基板上的电介质阻挡层的方法，所述方法顺序地包含以下步骤：

将基板转移至蚀刻处理腔室中，所述基板具有电介质阻挡层，所述电介质阻挡层设置在基板上的双重式金属镶嵌结构中；

在所述蚀刻处理腔室中的处理气体混合物中施加第一低RF偏置功率以生成用于处理所述电介质阻挡层的被暴露表面的等离子体，从而将所述电介质阻挡层活化成激发态，以促进所述电介质阻挡层的去除；

将所述蚀刻处理腔室远程的源RF功率施加在蚀刻气体混合物中，以蚀刻经处理的所述电介质阻挡层，其中所述蚀刻气体混合物包括氨气和三氟化氮；

在所述蚀刻处理腔室中的退火气体混合物中施加第二低RF偏置功率，以便对经蚀刻的电介质阻挡层退火，从而将所述电介质阻挡层从所述基板去除；以及

在将所述电介质阻挡从所述基板去除之后，形成界面保护层。