[发明专利]n型氮化铝单晶基板以及垂直型氮化物半导体器件

权利要求书

1.一种垂直型氮化物半导体器件，在Si含量是3×10¹⁷～1×10²⁰cm^-3、位错密度是10⁶cm^-2以下、并且厚度是50～500μm的n型氮化铝单晶基板的上下主面具备电极层。

2.一种垂直型肖特基势垒二极管，所述垂直型肖特基势垒二极管在权利要求1所述的垂直型氮化物半导体器件中，在一个主面侧具有欧姆电极层，在另一个主面具有肖特基电极层。

3.一种层叠体，在Si含量是3×10¹⁷～1×10²⁰cm^-3、位错密度是10⁶cm^-2以下、并且厚度是50～500μm的n型氮化铝单晶基板的至少一个主面上，层叠有由Si含量是1×10¹⁸～5×10¹⁹cm^-3的Al_XGa_1-XN构成的层，其中X是满足0.3≤X≤0.8的有理数。

4.一种垂直型氮化物半导体器件，在权利要求3所述的层叠体的上下主面具备电极层。

5.根据权利要求4所述的垂直型氮化物半导体器件，其中，由Al_XGa_1-XN构成的层上的电极层是欧姆电极层，其中X是满足0.3≤X≤0.8的有理数。

6.一种垂直型肖特基势垒二极管，在权利要求5所述的垂直型氮化物半导体器件中，n型氮化铝单晶基板上的电极层是肖特基电极层。

7.根据权利要求2或6所述的垂直型肖特基势垒二极管，其中，当将反向电压值设为100V时，电流密度为10^-6Acm^-2以下。