[发明专利]荧光光源装置及其制造方法有效
申请号: | 201480051629.7 | 申请日: | 2014-09-11 |
公开(公告)号: | CN105556201B | 公开(公告)日: | 2017-09-22 |
发明(设计)人: | 井上正树;北村政治 | 申请(专利权)人: | 优志旺电机株式会社 |
主分类号: | F21V7/22 | 分类号: | F21V7/22;C09K11/00;C09K11/08;F21V9/16;H01L33/50;H01S5/02;F21Y115/30 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司72002 | 代理人: | 王灵菇,白丽 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 荧光 光源 装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种荧光光源装置,其特征在于,其具备由在激发光作用下激发的荧光体构成的波长转换部件,
所述波长转换部件由含有荧光体而成的荧光部件和形成在该荧光部件上的光激性结构部构成,该光激性结构部的表面为该波长转换部件的荧光射出面,
所述光激性结构部由二维周期性地排列多个凸部而成的周期结构形成,所述多个凸部形成在具有自所述荧光部件向远方延伸的柱状结构的金属氧化物的层中。
2.根据权利要求1所述的荧光光源装置,其特征在于,由所述光激性结构部的表面构成激发光受光面。
3.一种荧光光源装置的制造方法,其特征在于,其用于制造具备由在激发光作用下激发的荧光体构成的波长转换部件而成的荧光光源装置,
通过经由以下工序获得由下述荧光部件和下述光激性结构部构成的波长转换部件:
在含有荧光体而成的荧光部件上形成具有自该荧光部件向远方延伸的柱状结构的金属氧化物的层,对该金属氧化物的层的表面进行蚀刻处理;
所述光激性结构部由二维周期性地排列多个凸部而成的周期结构形成,所述多个凸部形成在表面进行了蚀刻处理的金属氧化物的层中。
4.根据权利要求3所述的荧光光源装置的制造方法,其特征在于,所述金属氧化物的层利用溅射法形成。
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