[发明专利]通过化学气相渗透制作的陶瓷基质复合物及其制造方法

权利要求书

1.一种制造陶瓷基质复合物的方法，所述方法包括：

提供期望形状的陶瓷基质复合物预形件，具有限定所述预形件的厚度的第一面和相对的第二面；

在所述预形件中形成部分地和/或完全地延伸穿过预形件的厚度的多个孔；以及

通过化学气相渗透过程使所述预形件致密化来形成基质的一部分或大部分；

其中，所述孔的局部体积分数在所述预形件的表面区域上从0.1％到30％变化。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述孔的局部体积分数在所述预形件的表面区域上从2％到10％变化。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述预形件具有在20％到80％之间的孔隙度。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述预形件具有在40％到70％之间的孔隙度。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述预形件包括具有单向纤维的板层；或具有2D织造架构的板层，具有或没有贯穿厚度的缝合；或通过织造和/或编织制作的3D纤维架构。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述孔具有范围从25微米到250微米的截面尺寸直径。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述孔具有范围从50微米到200微米的截面尺寸直径。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述孔的体积分数对于整个预形件是在0.5％到15％之间。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述孔的体积分数对于整个预形件是在3％到10％之间。

10.根据权利要求1所述的方法，其中，所述孔穿透整个厚度。

11.根据权利要求1所述的方法，其中，所述孔具有选自圆形、正方形、矩形、椭圆形和任何其它二维封闭图案构成的集合的截面形状。

12.根据权利要求1所述的方法，其中，所述孔的截面尺寸穿过所述预形件变化。

13.根据权利要求1-12任一项所述的方法，其中，所述孔为渐缩的。

14.根据权利要求13所述的方法，其中，所述孔通过机械钻孔、激光钻孔、放电加工、水射流加工、超声波研磨加工、和/或通过易消失纤维或杆的使用来形成。

15.根据权利要求14所述的方法，其中，所述基质为含硅材料。

16.根据权利要求15所述的方法，其中，所述含硅材料选自碳化硅、氮化硅、硅化钼和它们的混合物构成的集合。

17.根据权利要求15所述的方法，其中，所述陶瓷基质复合物为碳化硅-碳化硅复合物或连续纤维增强复合物。

18.一种根据前述权利要求中的任一项所述的方法形成的陶瓷基质复合物。