[发明专利]碳化硅单晶晶片的内应力评价方法和碳化硅单晶晶片的翘曲预测方法

权利要求书

1.一种碳化硅单晶晶片的内应力评价方法，使用在碳化硅单晶晶片的主面内的两点测定到的拉曼位移值的差量来进行评价，所述碳化硅单晶晶片是从采用升华再结晶法制造的碳化硅单晶锭切取的，

使用在中心测定到的拉曼位移值(A)与在外周部测定到的拉曼位移值(B)的拉曼位移差(A-B)来进行评价。

2.一种碳化硅单晶晶片的翘曲预测方法，是事前预测采用升华再结晶法制造的碳化硅单晶晶片的翘曲的方法，使用在制备碳化硅单晶晶片时的最终研磨之前测定到的、表面和背面中的任一面内的两点的拉曼位移值的差量，来估算研磨工序完成后的晶片的翘曲，

使用在中心测定到的拉曼位移值(A)与在外周部测定到的拉曼位移值(B)的拉曼位移差(A-B)来进行预测。

3.根据权利要求2所述的碳化硅单晶晶片的翘曲预测方法，使用在单晶薄板的表面和背面中的任一面内的两点测定到的拉曼位移值的差量来进行预测，所述单晶薄板是将采用升华再结晶法得到的碳化硅单晶锭进行切片分割而得到的。

4.根据权利要求2或3所述的碳化硅单晶晶片的翘曲预测方法，预先求出拉曼位移值的差量与碳化硅单晶晶片的翘曲的关系，以所得到的关系式为基础，由拉曼位移值的差量预测碳化硅单晶晶片的翘曲。