[发明专利]具有动态读取阈值机制的数据贮存系统以及操作其的方法有效

专利信息
申请号: 201480051899.8 申请日: 2014-07-31
公开(公告)号: CN105556610B 公开(公告)日: 2019-10-01
发明(设计)人: J.菲茨帕特里克;M.丹乔;J.M.希金斯;R.W.埃利斯 申请(专利权)人: 桑迪士克科技有限责任公司
主分类号: G11C16/34 分类号: G11C16/34;G11C16/26;G11C11/56;G11C16/06
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 邸万奎;万里晴
地址: 美国得*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 具有 动态 读取 阈值 机制 数据 贮存 系统 以及 操作 方法
【说明书】:

数据贮存系统的操作的系统和方法包括:存储器裸芯,用于确定中间的读取阈值;控制单元,耦合到存储器裸芯,用于基于中间的读取阈值(312)和存储器元件寿命计算较低的读取阈值(310)和较高的读取阈值(314);以及存储器接口,耦合到存储器裸芯,用于使用较低的读取阈值、中间的读取阈值或较高的读取阈值读取存储器裸芯的存储器页以用于补偿电荷变化。

技术领域

发明一般地涉及数据贮存系统,并且更具体地涉及具有动态读取阈值机制的系统。

背景技术

数据贮存器——通常被称为贮存器或存储器——指保留数字数据的计算机组件和记录介质。数据贮存器是消费和工业电子、特别是诸如计算机、电视机、蜂窝电话、移动装置和数字摄像机的装置的核心功能和基本组件。

近来,除了机电的硬盘以外的长期贮存的形式在计算机中的使用变为可行的。NOT-AND(NAND)闪速是用在固态贮存装置中的非易失性存储器的一种形式。存储器单元被以典型的行和列的方式布置,具有用于访问每个单元的电路。那些单元的存储器晶体管被置于贮存可以被解译为在单级单元(SLC)中保持两个逻辑性状态或者在多级单元(MLC)的情况中保持多于两个逻辑性状态的模拟值。

闪速存储器单元在重量上轻便,占据非常少的空间并且比机电的硬盘驱动消耗更少的功率。构建具有该类型的存储器的贮存系统允许比典型的机电的硬盘驱动高得多的带宽以及每秒的输入/输出操作(IOPS)。更重要地,其特别地坚固,并且可以在高得多的温度范围处操作。其将经受重复的坠落而没有不利的效果,该不利的效果的每一个将损坏典型的机电的硬盘驱动。闪速存储器所展现的问题在于其倾向于具有有限的使用寿命。

因此,仍然存在对更好的数据管理装置的需求。鉴于对数据管理装置的增长的需求,找到这些问题的答案变得越来越关键。鉴于不断增长的商业竞争压力,以及增长的客户期望以及在市场中有意义的产品的差别的逐渐减少的机会,对于找到这些问题的答案是关键的。此外,对于减少成本、改善效率和性能以及满足竞争压力的需求进一步向寻找这些问题的答案的关键必要性增加了更大的紧迫性。

一直以来在寻找这些问题的解决方案,但是现有发展没有教导或者提示任何解决方案,并且因此,本领域技术人员长时间没有找到这些问题的答案。

发明内容

本发明提供一种操作数据贮存系统的方法,包括:确定用于存储器裸芯的中间的读取阈值;基于所述中间的读取阈值和存储器元件寿命计算较低的读取阈值和较高的读取阈值;以及使用所述较低的读取阈值、所述中间的读取阈值或所述较高的读取阈值读取存储器裸芯的存储器页以用于补偿电荷变化。

本发明提供一种数据贮存系统,包括:存储器裸芯,用于确定中间的读取阈值;控制单元,耦合到所述存储器裸芯,用于基于所述中间的读取阈值和存储器元件寿命计算较低的读取阈值和较高的读取阈值;以及存储器接口,耦合到所述存储器裸芯,用于使用所述较低的读取阈值、所述中间的读取阈值或所述较高的读取阈值读取存储器裸芯的存储器页以用于补偿电荷变化。

本发明的某些实施例除了上述的那些以外或者替代上述的那些具有其他步骤或元件。从阅读参考附图的下面的详细的说明,对于本领域技术人员来说,步骤或元件将变得清楚。

附图说明

图1是本发明的实施例中的数据贮存系统的框图。

图2是数据贮存系统的存储器图的示例。

图3是电荷轮廓(profile)曲线的示例。

图4是电荷轮廓阈值曲线的示例。

图5是电流读取阈值过程的示例。

图6是异常值调节过程的示例。

图7是上电适应曲线的示例。

图8是上电过程的示例。

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