[发明专利]包含锚定式薄分子层的电子或光电子器件,其制备方法和在其中使用的化合物有效
申请号: | 201480052052.1 | 申请日: | 2014-08-19 |
公开(公告)号: | CN105659403B | 公开(公告)日: | 2018-06-29 |
发明(设计)人: | 西尔维娅·尼希;简·布洛赫维茨-尼莫斯;比约恩·吕塞姆;卡尔·莱奥;阿克塞尔·菲舍尔 | 申请(专利权)人: | 诺瓦尔德股份有限公司 |
主分类号: | H01L51/10 | 分类号: | H01L51/10;H01L51/50 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 杨青;缑正煜 |
地址: | 德国德*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 氮原子 光电子器件 亚甲基基团 锚定基团 无机表面 芳族环 有机层 芳族 芳族杂环 间隔基团 叔胺基团 杂芳族环 分子层 锚定式 单键 仲胺 制备 覆盖 | ||
1.电子或光电子器件,其包含至少部分被有机层覆盖的至少一个无机表面,其中所述有机层包含下述化合物,所述化合物包含
i)将所述化合物锚定于所述无机表面的至少一个锚定基团,
ii)至少一个官能部分,其包含
a)在芳族环中含有至少一个氮原子的芳族杂环或
b)被至少一个仲胺或叔胺基团取代的芳族或杂芳族环,
iii)至少一个亚甲基基团,
其中
通过单键与包含在所述官能部分的芳族环中的氮原子或结合于所述官能部分的芳族环的氮原子直接连接的亚甲基基团是被取代的;并且其中
所述亚甲基基团上的取代基是吸电子基团或另一个官能部分,所述另一个官能部分包含至少一个锚定基团和
a)在芳族环中含有至少一个氮原子的芳族杂环或
b)被至少一个仲胺或叔胺基团取代的芳族或杂芳族环,并且
其中所述另一个官能部分通过单键连接,所述单键是所述亚甲基基团与包含在该官能部分中包含的芳族环中的氮原子或结合于该官能部分中包含的芳族环的氮原子之间的单键;
其中所述吸电子基团是氰基基团;
其中所述亚甲基基团与另一个共轭π电子体系的至少一个π键共轭。
2.根据权利要求1所述的器件,其中所述无机表面是金属表面并且所述锚定基团包含选自具有氧化度(-II)、(-I)或0的S、Se、Te的至少一个硫族原子。
3.根据权利要求2所述的器件,其中所述金属表面包含选自周期表的8、9、10或11族的至少一种金属。
4.根据权利要求2或3所述的器件,其中所述金属表面包含选自Cu、Ag、Au、Pd或Pt的金属作为主要组分。
5.根据权利要求1-3任一项所述的器件,其中所述锚定基团选自–SH和–Sx-,其中x是选自1、2、3、4和5的整数。
6.根据权利要求1-3任一项所述的器件,其中所述锚定基团与所述官能部分的含氮芳族环或与胺取代芳族或杂芳族环直接连接。
7.根据权利要求1-3任一项所述的器件,其中所述官能部分是五元含氮芳族环。
8.根据权利要求1-3任一项所述的器件,其中所述官能部分选自唑、二唑、三唑和四唑。
9.根据权利要求1-3任一项所述的器件,其中所述官能部分被至少一个吸电子基团取代。
10.根据权利要求9所述的器件,其中所述吸电子基团独立地选自-F、-Cl、-CN、卤代烷基、卤代芳基、卤代杂芳基。
11.根据权利要求1-3任一项所述的器件,其中所述另一个共轭π电子体系被至少一个吸电子基团取代和/或本身是吸电子的。
12.根据权利要求1-3任一项所述的器件,其中所述另一个共轭π电子体系是醌型、吐昔醌或轴烯π电子体系。
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