[发明专利]硅纳米线阵列的制备方法

权利要求书

1.一种硅纳米线阵列的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

使塑料粒子以均匀随机图案相互隔离地布置于形成有层状自组装聚合物层的硅基板上；

通过对形成于所述硅基板上的所述层状自组装聚合物层进行氧等离子体处理，除去所述塑料粒子之间的所述层状自组装聚合物层；

在所述塑料粒子之间形成催化剂层；

除去所述塑料粒子；

通过湿蚀刻工艺，垂直蚀刻与所述催化剂层接触的硅基板部位；及

除去所述催化剂层，

其中，所述硅纳米线阵列的密度通过控制所述塑料粒子之间的间隔来调节，

其中，所述层状自组装聚合物层通过交替进行在所述硅基板上涂布阳离子聚电解质溶液的工艺和涂布阴离子聚电解质溶液的工艺而成。

2.根据权利要求1所述的硅纳米线阵列的制备方法，其特征在于，所述阳离子聚电解质选自由聚芳胺盐酸盐、聚乙烯亚胺、聚二甲基二烯丙基酰胺、聚赖氨酸及其组合构成的组。

3.根据权利要求1所述的硅纳米线阵列的制备方法，其特征在于，所述阴离子聚电解质选自由聚苯乙烯磺酸、聚丙烯酸、聚乙烯硫酸、肝素及其组合构成的组。

4.根据权利要求1所述的硅纳米线阵列的制备方法，其特征在于，所述塑料选自由聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯、聚对苯二甲酸乙二酯、聚对苯二甲酸丁二酯、聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯醚、聚缩醛组成的组。

5.根据权利要求1所述的硅纳米线阵列的制备方法，其特征在于，所述催化剂层包括银(Ag)、金(Au)、铂(Pt)、铜(Cu)或其组合。

6.根据权利要求1所述的硅纳米线阵列的制备方法，其特征在于，所述形成催化剂层的步骤采用沉积法。

7.根据权利要求4所述的硅纳米线阵列的制备方法，其特征在于，通过使用含有酸(acid)或过氧化物的溶液来进行所述湿蚀刻工艺。

8.根据权利要求1所述的硅纳米线阵列的制备方法，其特征在于，通过控制所述塑料粒子的大小来调节硅纳米线的直径。

9.根据权利要求1所述的硅纳米线阵列的制备方法，其特征在于，通过控制所述蚀刻步骤的蚀刻时间来调节硅纳米线的高度。