[发明专利]热处理方法在审

专利信息
申请号: 201480052178.9 申请日: 2014-10-27
公开(公告)号: CN105580119A 公开(公告)日: 2016-05-11
发明(设计)人: 加藤正弘 申请(专利权)人: 信越半导体株式会社
主分类号: H01L21/324 分类号: H01L21/324;H01L21/22;H01L21/677
代理公司: 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 代理人: 谢顺星;张晶
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 热处理 方法
【权利要求书】:

1.一种热处理方法,其将多片半导体晶圆各自水平载置于以碳 化硅覆盖的支撑构件上,并在纵型热处理炉内实行热处理,其中,该 热处理方法的特征在于,

将所述支撑构件,在第一条件或第二条件中的任一种条件的热处 理中持续使用了一定期间后,在所述第一条件和第二条件中的另一种 条件的热处理中持续使用特定期间,以此方式将所述支撑构件与热处 理条件切换来进行热处理;

并且,所述第一条件的热处理,是以1000℃以上的温度,在含 有稀有气体且不含有氧气的氛围下进行的热处理;所述第二条件的热 处理,是以1000℃以上的温度,在含有氧气且不含有稀有气体的氛 围下进行的热处理。

2.根据权利要求1所述的热处理方法,其特征在于,将所述稀 有气体设成氩气。

3.根据权利要求1和2所述的热处理方法,其特征在于,将所 述第一条件和第二条件的热处理各自持续的所述一定期间,设成200 小时以上且400小时以下。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的热处理方法,其中,将 所述支撑构件与热处理条件的切换重复多次。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于信越半导体株式会社,未经信越半导体株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201480052178.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top