[发明专利]半导体放射线检测器、使用其的核医学诊断装置、以及半导体放射线检测器的制造方法

权利要求书

1.一种半导体放射线检测器，使用被阴极和阳极夹着的半导体晶体而构成，其特征在 于，

所述半导体晶体由如下溴化铊单晶构成：

作为杂质的铅的浓度不足0.1ppm，且X射线衍射中的(110)摇摆曲线的试样倾斜角扫描 中的半峰全宽为1.6deg以下，试样面内旋转角扫描中的半峰全宽为3.5deg以下，X射线入射 角扫描中的半峰全宽为1.3deg以下。

2.一种半导体放射线检测器，使用被阴极和阳极夹着的半导体晶体而构成，其特征在 于，

所述半导体晶体由如下溴化铊单晶构成：

作为杂质的铅的浓度为基于辉光放电质谱法(GDMS)的铅浓度的检测界限以下，且X射 线衍射中的(110)摇摆曲线的试样倾斜角扫描中的半峰全宽为1.6deg以下，试样面内旋转 角扫描中的半峰全宽为3.5deg以下，X射线入射角扫描中的半峰全宽为1.3deg以下。

3.一种半导体放射线检测器，使用被阴极和阳极夹着的半导体晶体而构成，其特征在 于，

所述半导体晶体由如下溴化铊单晶构成：

作为杂质的铅的浓度为0.0ppm，且X射线衍射中的(110)摇摆曲线的试样倾斜角扫描中 的半峰全宽为1.6deg以下，试样面内旋转角扫描中的半峰全宽为3.5deg以下，X射线入射角 扫描中的半峰全宽为1.3deg以下。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体放射线检测器，其特征在于，

由金、铂、钯中的至少一种以上的金属构成所述阴极和所述阳极。

5.一种半导体放射线检测器的制造方法，所述半导体放射线检测器使用被阴极和阳极 夹着的半导体晶体而构成，

所述制造方法的特征在于，

选择如下溴化铊单晶作为所述半导体晶体：

作为杂质的铅的浓度不足0.1ppm，且X射线衍射中的(110)摇摆曲线的试样倾斜角扫描 中的半峰全宽为1.6deg以下，试样面内旋转角扫描中的半峰全宽为3.5deg以下，X射线入射 角扫描中的半峰全宽为1.3deg以下。

6.一种半导体放射线检测器的制造方法，所述半导体放射线检测器使用被阴极和阳极 夹着的半导体晶体而构成，

所述制造方法的特征在于，

选择如下溴化铊单晶作为所述半导体晶体：

作为杂质的铅的浓度为基于辉光放电质谱法(GDMS)的铅浓度的检测界限以下，且X射 线衍射中的(110)摇摆曲线的试样倾斜角扫描中的半峰全宽为1.6deg以下，试样面内旋转 角扫描中的半峰全宽为3.5deg以下，X射线入射角扫描中的半峰全宽为1.3deg以下。

7.一种半导体放射线检测器的制造方法，所述半导体放射线检测器使用被阴极和阳极 夹着的半导体晶体而构成，

所述制造方法的特征在于，

选择如下溴化铊单晶作为所述半导体晶体：

作为杂质的铅的浓度为0.0ppm，且X射线衍射中的(110)摇摆曲线的试样倾斜角扫描中 的半峰全宽为1.6deg以下，试样面内旋转角扫描中的半峰全宽为3.5deg以下，X射线入射角 扫描中的半峰全宽为1.3deg以下。

8.根据权利要求5～7中任一项所述的半导体放射线检测器的制造方法，其特征在于，

在制作所述半导体晶体时，与培养出成为所述半导体晶体的原材料的晶锭时的晶体成 长面平行地进行切断来形成要沉积阴极和阳极的面。

9.一种核医学诊断装置，其特征在于，

具备：

基板，其安装有多个所述半导体放射线检测器，并且包围将支持被检体的床插入的测 量区域，配置在所述测量区域的周围；以及

图像信息生成装置，其使用根据从所述基板的多个所述半导体放射线检测器输出的放 射线检测信号而得的信息来生成图像，

所述半导体放射线检测器是权利要求1～3的任一项所述的半导体放射线检测器。