[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，包括

半导体基板，其具有元件区域以及终端区域，所述终端区域围绕所述元 件区域，其中：

所述元件区域包括

第一体区域，其具有第一导电类型并且被配置于面向所述半导体基 板的顶面的范围内，

第一漂移区，其具有第二导电类型并且与所述第一体区域的底面相 接触，以及

多个第一浮动区域，每个所述第一浮动区域具有所述第一导电类型 并且被所述第一漂移区围绕；

所述终端区域包括

第二漂移区，其具有所述第二导电类型，以及

多个第二浮动区域，每个所述第二浮动区域具有所述第一导电类型 并且被所述第二漂移区围绕；

所述第二浮动区域围绕所述元件区域的外周；并且

当在所述半导体基板的厚度方向上所述第一漂移区的中心的深度被看作 参考深度时，至少一个所述第二浮动区域被配置成比每个所述第一浮动区域 更接近于所述参考深度。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中：

第二体区域形成在终端区域的部分内，所述第二体区域具有所述第一导 电类型，被配置于面向所述半导体基板的所述顶面的范围内，并且从所述第 一体区域连续地形成；

所述第二漂移区与所述第二体区域的底面和侧面相接触；并且

当以平面方式观察所述半导体基板时，至少一个所述第二浮动区域具有 与所述第二体区域的重叠部分。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中

当以平面方式观察所述半导体基板时，至少两个所述第二浮动区域具有 相互重叠的重叠部分。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中

当以平面方式观察所述半导体基板时，在所述第二浮动区域中所述至少 两个所述第二浮动区域被配置成最接近于所述元件区域。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置，其中

当以平面方式观察所述半导体基板时，至少一个所述第一浮动区域和至 少一个所述第二浮动区域各自具有相互重叠的重叠部分。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体装置，其中

在所述厚度方向上的预定深度处，从元件区域侧向终端区域侧以预定间 隔配置所述第一浮动区域。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中

在所述第一浮动区域和一个所述第二浮动区域之间的间隔是所述预定间 隔的1/2或者以下，该一个所述第二浮动区域邻近于所述第一浮动区域。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中：

第二体区域形成在所述终端区域的部分内，所述第二体区域具有所述第 一导电类型，被配置于面向所述半导体基板的所述顶面的范围内，并且从所 述第一体区域连续地形成；

所述第二漂移区与所述第二体区域的底面和侧面相接触；

在所述厚度方向上的预定深度处，从元件区域侧向终端区域侧以预定间 隔配置所述第一浮动区域；

所述终端区域包括虚设沟槽、绝缘体和第三浮动区域；

所述虚设沟槽贯穿所述第二体区域并且在所述第二漂移区内延伸；

所述绝缘体被配置于所述虚设沟槽内；

所述第三浮动区域被配置于所述虚设沟槽的底部内或者所述虚设沟槽的 下方，并且具有所述第一导电类型；

所述虚设沟槽围绕所述元件区域的所述外周；

所述第三浮动区域以所述预定深度被配置，并且被所述第二漂移区所围 绕；并且

在所述第三浮动区域和一个所述第二浮动区域之间的间隔是所述预定间 隔的一半或者以下，该一个所述第二浮动区域与所述第三浮动区域邻近并且 定位在关于所述第三浮动区域与所述元件区域相对的一侧。

9.根据权利要求8所述的半导体装置，其中

所述第三浮动区域围绕所述虚设沟槽的所述底部。

10.根据权利要求1至9任一项所述的半导体装置，其中：

所述元件区域包括栅电极和第二绝缘体；

所述栅电极被配置于栅沟槽的内侧并且与所述第一体区域相对，所述栅 沟槽贯穿所述第一体区域并且在所述第一漂移区内延伸；

所述第二绝缘体被配置于所述栅电极与所述栅沟槽的内壁之间；并且

在所述元件区域中的所述第一浮动区域围绕所述栅沟槽的底部。