[发明专利]非晶硅膜的蒸镀方法及蒸镀装置

说明书

根据本发明的一实施例的非晶硅膜的蒸镀方法，在腔内部装载基板的状态下，在上述基板上供给源气体和气氛气体，在工序压力下的工序温度，在上述基板上蒸镀非晶硅膜，其中，上述源气体是硅烷(SiH2)、乙硅烷(Si2H6)、二氯甲硅烷(SiCl2H2)中的一种以上，其中，上述工序温度被调节为540℃～570℃的范围，且上述工序压力被调节为1～300Torr的范围，从而上述源气体热分解而在上述基板上蒸镀上述非晶硅膜，其中，上述气氛气体是氢和氦中的一种以上，上述源气体的流量是0.5～300sccm，上述气氛气体的流量是100～25000sccm，上述非晶硅膜被蒸镀的厚度为

技术领域

本发明涉及蒸镀非晶硅膜的方法及装置，更详细地涉及利用气氛气体蒸镀非晶硅膜的方法及装置。

背景技术

非晶硅用于半导体集成电路装置的接触孔或线路的埋入，最近随着半导体集成电路装置的微细化，接触孔或线路的埋入标准越来越严格。

用非晶硅埋入微细化的接触孔或线路的情况下，非晶硅有可能在接触孔部分覆盖差，或可能产生大的空隙。例如，若在接触孔或线路内产生大的空隙，则可能成为增加电阻值的原因之一。另外，还可能成为表面粗糙度的精细度差的原因。

发明内容

技术课题

本发明的目的在于，提供一种可以改善表面粗糙度的精细度的非晶硅膜的蒸镀方法及蒸镀装置。

本发明的另一目的在于，提供一种可以对应接触孔或线路等的微细化的非晶硅膜的蒸镀方法及蒸镀装置。

本发明的其它目的根据下面的详细说明和附图会更加清楚。

课题解决方案

根据本发明的一实施例，非晶硅膜的蒸镀方法，其特征在于，

在腔内部装载基板的状态下，在上述基板上供给源气体和气氛气体，

在工序压力下的工序温度，在上述基板上蒸镀非晶硅膜，

其中，上述源气体是硅烷(SiH2)、乙硅烷(Si2H6)、二氯甲硅烷(SiCl2H2)中的一种以上，

其中，上述工序温度被调节为540℃～570℃的范围，且上述工序压力被调节为1～300Torr的范围，从而上述源气体热分解而在上述基板上蒸镀上述非晶硅膜，

其中，上述气氛气体是氢和氦中的一种以上，

上述源气体的流量是0.5～300sccm，上述气氛气体的流量是100～25000sccm，上述非晶硅膜被蒸镀的厚度为

上述非晶硅膜的蒸镀方法,其中，上述非晶硅膜被蒸镀为具有1nm以下的表面粗糙度。

上述非晶硅膜的蒸镀方法,其中，上述基板位于加热器上，且上述基板被上述加热器加热至上述工序温度。

上述非晶硅膜的蒸镀方法,其中，上述基板位于加热器上，且上述源气体被上述加热器分解。

根据本发明的一实施例的非晶硅膜的蒸镀装置,包括：

用于提供内部空间，以便在工序压力下的工序温度在上述内部空间对基板实施工序；

真空接口，上述内部空间的未反应气体及反应副产物通过该真空接口排放；以及

加热器，设在上述腔内来支承上述基板并加热上述基板；第1供给线路及第2供给线路，被连接在上述腔的一侧所形成的导入部，通过上述导入部向上述腔内部分别供给源气体及气氛气体，

上述源气体是硅烷(SiH2)、乙硅烷(Si2H6)、二氯甲硅烷(SiCl2H2)中的一种以上；

排放线路，与上述真空接口连接；