[发明专利]等离子体反应器容器和组件、和执行等离子体处理的方法

权利要求书

1.等离子体反应器容器，包括：

真空腔室；

在所述真空腔室中的第一电极；

在所述真空腔室中、与所述第一电极相对并且与所述第一电极间隔的第二电极；

用于在所述真空腔室中提供反应工艺气体的装置；

电连接至所述第一或第二电极的其中之一的电源，用于将主RF电压施加至所述第一和第二电极的其中之一，另一电极接地；

包括导电材料的基板载体，所述基板载体配置为与所述第二电极电接触并且保持基板，使得所述基板的上表面的至少大部分和所述基板的下表面的至少大部分未被所述等离子体反应器的任何部分触摸并且能够暴露于等离子体；

所述反应器容器还包括第三电极，所述第三电极位于所述基板载体与所述第二电极之间，其中所述第三电极与所述第二电极电绝缘；以及

其中所述第三电极和所述基板载体布置为使得，在所述第三电极与被所述基板载体保持的基板之间存在第一隙距。

2.根据权利要求1所述的等离子体反应器容器，还包括配置为将补偿RF电压提供至所述第三电极的补偿装置，所述补偿RF电压具有与所述第一电极和所述第二电极之间的RF电压差的调制相位相反的调制相位。

3.根据权利要求2所述的等离子体反应器容器，其中，所述第三电极与基板之间的所述第一隙距在0.5mm与3mm之间。

4.根据权利要求1所述的等离子体反应器容器，还包括所述第三电极与所述第二电极之间的第二隙距，所述第二隙距将所述第三电极与所述第二电极电绝缘。

5.根据权利要求2所述的等离子体反应器容器，

其中所述补偿装置包括能够生成RF信号的电压源，并且所述第三电极经由馈送线电连接至所述电压源。

6.根据权利要求2所述的等离子体反应器容器，

其中所述补偿装置包括将所述第二电极电连接至所述第三电极的自感线圈。

7.根据权利要求4所述的等离子体反应器容器，

还包括所述第三电极与所述第二电极之间的绝缘间隔元件，所述第二隙距的量值由所述绝缘间隔元件的高度确定。

8.根据权利要求7所述的等离子体反应器容器，

其中，所述绝缘间隔元件包括陶瓷块。

9.根据权利要求1所述的等离子体反应器容器，

其中，所述基板载体配置为保持多个所述基板。

10.根据权利要求9所述的等离子体反应器容器，

其中，所述基板载体包括多个切除部分，每个切除部分适于容纳基板。

11.根据权利要求10所述的等离子体反应器容器，

所述反应器容器包括多个所述第三电极，所述多个第三电极中的每一个与所述基板载体中对应的切除部分对准。

12.一种包括多个等离子体反应器容器的组件，所述多个等离子体反应器容器中的至少一个为根据权利要求1所述的等离子体反应器容器，其中所述多个等离子体反应器容器中的每一个经由真空通道连接，其中所述真空通道配置为允许基板通过，并且其中所述等离子体反应器容器中的至少一个配置为在所述基板的上表面处提供等离子体，所述等离子体反应器容器中的至少一个配置为在所述基板的相对的下表面处提供等离子体。

13.根据权利要求12所述的组件，其中，所述等离子体反应器容器配置为使得每两个等离子体反应器容器中的一个在所述基板的所述上表面上提供等离子体，并且所述每两个等离子体反应器容器中的另一个配置为在所述基板的相对的下表面处提供等离子体。

14.一种用于使用等离子体反应器容器执行等离子体处理的方法，所述等离子体反应器容器包括真空腔室；在所述真空腔室中的第一电极；在所述真空腔室中、与所述第一电极相对并且与所述第一电极间隔的第二电极；用于在所述真空腔室中提供反应工艺气体的装置；电连接至所述第一或第二电极的其中之一的电源，用于将主RF电压施加至所述第一和第二电极的其中之一，另一电极接地；包括导电材料的基板载体，所述基板载体配置为与所述第二电极电接触并且保持基板，使得所述基板的上表面的至少大部分和所述基板的下表面的至少大部分未被所述等离子体反应器的任何部分触摸并且能够暴露于等离子体；位于所述基板载体与所述第二电极之间的第三电极，所述第三电极与所述第二电极电绝缘；以及所述第三电极和所述基板载体布置为使得，在所述第三电极与被所述基板载体保持的基板之间存在第一隙距；

所述方法包括：

将基板载体布置为保持基板；

在所述真空腔室内定位所述基板载体，使得所述基板的上表面或下表面与所述第一或第二电极对准；

移动所述第三电极以在所述基板与所述第三电极之间提供具有预定义值的第一隙距；

移动所述第二和/或第一电极，以便提供等离子体反应器容积；

将主RF电压施加至所述第一或第二电极的其中之一并且将另一电极接地；

将补偿电压施加至所述第三电极，其中所述补偿电压在相位上与施加在所述第一电极和所述第二电极之间的主RF电压差相反；以及

在所述基板与所述第一电极之间的间隙中提供等离子体，然后点燃所述等离子体。