[发明专利]Fe基纳米晶合金的制造方法和Fe基纳米晶合金磁心的制造方法有效
申请号: | 201480053096.6 | 申请日: | 2014-09-22 |
公开(公告)号: | CN105593382B | 公开(公告)日: | 2017-08-18 |
发明(设计)人: | 山本启喜;森次仲男 | 申请(专利权)人: | 日立金属株式会社 |
主分类号: | C21D6/00 | 分类号: | C21D6/00;H01F1/153;H01F41/02;C22C38/00;C22C45/02 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司11322 | 代理人: | 龙淳,谢弘 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | fe 纳米 合金 制造 方法 | ||
技术区域
本发明涉及Fe基纳米晶合金和卷绕或叠层有Fe基纳米晶合金的磁心的制造方法。
背景技术
Fe基纳米晶合金具备能够兼具高饱和磁通量密度和高的相对磁导率μ的优异的软磁特性,因此用于共模扼流线圈、高频变压器等的磁心。
作为Fe基纳米晶合金的组成系,代表性的有专利文献1中记载的Fe-Cu-Nb-Si-B系。
对通过将加热至熔点以上的温度得到的液相的合金进行急冷凝固,对所得到的非晶质合金进行热处理,使其微晶化(纳米晶化),由此制作Fe基纳米晶合金。作为从液相急冷凝固的方法,例如,可以采用生产性优异的单辊法。
根据热处理时的温度图形、热处理时在特定的方向施加磁场,Fe基纳米晶合金的相对磁导率μ和矩形比等的磁性不同。
例如,专利文献2中提出有:为了得到初始相对磁导率70,000以上、矩形比为30%以下的Fe基纳米晶合金,边在带的宽度方向(磁心的高度方向)施加磁场、边进行热处理的方法。作为专利文献2中的热处理的具体例,有各式各样的模式,大体上有:在热处理的最高到达温度区域,边施加磁场、边保持的模式;从升温过程经最高到达温度区域跨到冷却过程,边施加磁场、边保持的模式;从最高到达温度区域跨到冷却过程,边施加磁场、边保持的模式。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特公平4-4393号公报
专利文献2:日本特开平7-278764号公报
发明内容
发明所要解决的课题
可以认为上述的专利文献2所公开的热处理方法作为降低矩形比的方法是有效的。
然而,近年来,作为共模扼流圈等使用的频带成为100kHz附近的高频带,对于这样的高频带,磁性部品的小型化的要求变高。即,要求在高频区具有高的相对磁导率μ的纳米晶合金。
本发明的发明人为了在频率100kHz附近的高频中获得高的相对磁导率μ,进行了各种研究。其结果,认知到:以专利文献1和专利文献2所记载的热处理模式,有时难以得到高频区域中的高的相对磁导率μ。
本发明是借鉴于上述内容而作出的,其目的在于提供一种能够在频率100kHz附近容易地获得高的相对磁导率μ的Fe基纳米晶合金的制造方法和Fe基纳米晶合金磁心的制造方法。
用于解决课题的方法
本发明的发明人发现,通过热处理对Fe基非晶质合金进行微晶化(纳米晶化)时,通过在其升温期间的特定温度区域中施加磁场,能够得到例如频率100kHz的高频带中的高的相对磁导率μ。
<1>Fe基纳米晶合金的制造方法
根据本发明的实施方式的Fe基纳米晶合金的制造方法,包括将可纳米晶化的Fe基非晶质合金带加热至晶化温度区域并进行冷却的热处理工序,在上述热处理工序中,在包括从比用差示扫描量热计测得的晶化开始温度低50℃的温度到比晶化开始温度高20℃的温度为止的温度范围中的至少一部分、并且不超过比上述晶化开始温度高50℃的温度的升温期间中的温度范围中,即,在上述的升温期间中的温度范围中,选择性地在上述合金带的宽度方向施加磁场。
在某一实施方式中,在上述合金带的宽度方向施加磁场强度为50kA/m以上、300kA/m以下的磁场。
在某一实施方式中,在上述热处理工序中的最高到达温度时,不施加上述磁场。
另外,在某一实施方式中,Fe基纳米晶合金带的制造方法包括:准备可纳米晶化的Fe基非晶质合金带的工序;将上述Fe基非晶质合金带加热至晶化温度区域并进行冷却的热处理工序;和在上述热处理工序中,对上述Fe基非晶质合金带施加磁场的工序,上述施加磁场的工序中,可以在上述热处理工序的升温期间,在从比差示扫描量热计所显示的晶化开始温度低50℃的温度到比晶化开始温度高20℃的温度为止的温度范围内的至少一部分的期间,沿着上述合金带的宽度方向施加规定的强度(例如,50kA/m)以上的磁场,并且在上述升温期间中的一部分的期间,不施加上述规定的强度以上的磁场。典型而言,在超过比上述晶化开始温度高50℃的温度的升温期间,不施加上述规定的强度以上的磁场。另外,在低于上述比晶化开始温度低50℃的温度的升温期间,也可以不施加上述规定的强度以上的磁场。
<2>Fe基纳米晶合金磁心的制造方法
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