[发明专利]高孔隙率陶瓷的快速烧制方法

权利要求书

1.一种蜂窝陶瓷体生坯的烧制方法，所述方法包括：

使用多种加热速率将所述蜂窝陶瓷体生坯从室温加热至低于或等于350℃的第一温度，其中，将所述蜂窝陶瓷体生坯从室温加热至所述第一温度的操作包括：

以180℃/小时～220℃/小时的加热速率将所述蜂窝陶瓷体生坯加热至245℃～265℃的温度，以及

以小于或等于15℃/小时的加热速率将所述蜂窝陶瓷体生坯从245℃～265℃的温度加热至所述第一温度；

将所述蜂窝陶瓷体生坯从所述第一温度加热至高于或等于800℃的第二温度，其中，将所述蜂窝陶瓷体生坯从所述第一温度加热至所述第二温度的操作包括大于或等于90℃/小时的加热速率；以及

将所述蜂窝陶瓷体生坯从所述第二温度加热至高于或等于1000℃的第三温度，

其中，所述蜂窝陶瓷体生坯的直径大于或等于4.0英寸且小于或等于9.0英寸，

其中，所述蜂窝陶瓷体生坯包含碳基造孔剂，所述碳基造孔剂的浓度大于或等于10重量%且小于或等于48重量%，且

其中，所述蜂窝陶瓷体生坯包含用于形成钛酸铝陶瓷体的铝原材料。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，将所述蜂窝陶瓷体生坯从所述第二温度加热至所述第三温度包括以小于或等于150℃/小时的加热速率对所述蜂窝陶瓷体生坯进行加热。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，将所述蜂窝陶瓷体生坯从所述第一温度加热至所述第二温度包括以180℃/小时～220℃/小时的加热速率对所述蜂窝陶瓷体生坯进行加热，且

其中，将所述蜂窝陶瓷体生坯从所述第二温度加热至所述第三温度包括以小于或等于15℃/小时的加热速率对所述蜂窝陶瓷体生坯进行加热。

4.一种蜂窝陶瓷体生坯的烧制方法，所述方法包括：

使用多种加热速率将所述蜂窝陶瓷体生坯从室温加热至低于或等于350℃的第一温度，其中，将所述蜂窝陶瓷体生坯从室温加热至所述第一温度包括：

以130℃/小时～170℃/小时的加热速率将所述蜂窝陶瓷体生坯从室温加热至90℃～200℃的温度，以及

以小于或等于15℃/小时的加热速率将所述蜂窝陶瓷体生坯从90℃～200℃的温度加热至所述第一温度；

将所述蜂窝陶瓷体生坯从所述第一温度加热至高于或等于800℃的第二温度，其中，将所述蜂窝陶瓷体生坯从所述第一温度加热至所述第二温度的操作包括大于或等于90℃/小时的加热速率；以及

将所述蜂窝陶瓷体生坯从所述第二温度加热至高于或等于1000℃的第三温度，

其中，所述蜂窝陶瓷体生坯的直径大于或等于4.0英寸且小于或等于9.0英寸，

其中，所述蜂窝陶瓷体生坯包含碳基造孔剂，所述碳基造孔剂的浓度大于或等于10重量%且小于或等于48重量%，且

其中，所述蜂窝陶瓷体生坯包含用于形成钛酸铝陶瓷体的铝原材料。

5.一种蜂窝陶瓷体生坯的烧制方法，所述方法包括：

使用多种加热速率将所述蜂窝陶瓷体生坯从室温加热至低于或等于350℃的第一温度，其中，将所述蜂窝陶瓷体生坯从室温加热至所述第一温度包括：

以130℃/小时～170℃/小时的加热速率将所述蜂窝陶瓷体生坯从室温加热至90℃～110℃的温度；以及

以小于或等于15℃/小时的加热速率将所述蜂窝陶瓷体生坯从90℃～110℃的温度加热至所述第一温度；

将所述蜂窝陶瓷体生坯从所述第一温度加热至高于或等于800℃的第二温度，其中，将所述蜂窝陶瓷体生坯从所述第一温度加热至所述第二温度的操作包括大于或等于90℃/小时的加热速率；以及

将所述蜂窝陶瓷体生坯从所述第二温度加热至高于或等于1000℃的第三温度，

其中，所述蜂窝陶瓷体生坯的直径大于或等于4.0英寸且小于或等于9.0英寸，

其中，所述蜂窝陶瓷体生坯包含碳基造孔剂，所述碳基造孔剂的浓度大于或等于10重量%且小于或等于48重量%，且

其中，所述蜂窝陶瓷体生坯包含用于形成钛酸铝陶瓷体的铝原材料。