[发明专利]基于电阻的具有多条源线的存储器单元

权利要求书

1.一种设备，包括：

存储器单元，所述存储器单元包括耦合至多个存取晶体管的基于电阻的存储元件，其中所述多个存取晶体管至多条源线的耦合配置存储第一数据值，而所述基于电阻的存储元件存储第二数据值，其中所述第一数据值包括只读存储器(ROM)数据值，并且其中所述第二数据值包括随机存取存储器(RAM)数据值。

2.如权利要求1所述的设备，其特征在于，所述耦合配置包括第一配置，在所述第一配置中所述多个存取晶体管中的第一存取晶体管耦合至所述多条源线中的第一源线并且所述多个存取晶体管中的第二存取晶体管耦合至所述多条源线中的第二源线。

3.如权利要求2所述的设备，其特征在于，所述基于电阻的存储元件对应于磁性隧道结(MTJ)元件。

4.如权利要求3所述的设备，其特征在于，所述磁性隧道结元件被进一步耦合至所述第一源线或所述第二源线。

5.如权利要求3所述的设备，其特征在于，进一步包括配置成使得能够在第一操作模式中读取所述第一数据值并且使得能够在第二操作模式中读取所述第二数据值的字线控制器和源线/位线控制器。

6.如权利要求1所述的设备，其特征在于，所述第一数据值具有第一二进制值或第二二进制值，并且所述第二数据值具有所述第一二进制值或所述第二二进制值。

7.如权利要求2所述的设备，其特征在于，所述设备包括具有第二多个存取晶体管和第二耦合配置的第二存储器单元，在所述第二耦合配置中所述第二多个存取晶体管中的第一存取晶体管耦合至所述多条源线中的第三源线并且所述第二多个存取晶体管中的第二存取晶体管耦合至所述多条源线中的第四源线，其中所述第二耦合配置存储第三数据值，而所述第二存储器单元的第二基于电阻的存储元件存储第四数据值。

8.一种设备，包括：

字线控制器；以及

耦合至所述字线控制器的基于电阻的存储器单元行，其中所述基于电阻的存储器单元行中的基于电阻的存储器单元包括耦合至多个存取晶体管的基于电阻的存储元件，其中所述多个存取晶体管至多条源线的耦合配置存储第一数据值，而所述基于电阻的存储元件存储第二数据值，其中所述第一数据值包括只读存储器(ROM)数据值，并且其中所述第二数据值包括随机存取存储器(RAM)数据值。

9.如权利要求8所述的设备，其特征在于，进一步包括耦合至所述多条源线中的第一源线且耦合至所述多条源线中的第二源线的基于电阻的存储器单元列，其中所述基于电阻的存储器单元行中的所述基于电阻的存储器单元在所述基于电阻的存储器单元列中。

10.如权利要求9所述的设备，其特征在于，进一步包括多个基于电阻的存储器单元行和多个基于电阻的存储器单元列，所述多个行和多个列被配置成在一种操作模式中作为ROM来操作并且在另一种操作模式中作为RAM来操作。

11.如权利要求10所述的设备，其特征在于，所述多个行和所述多个列被封装为单个芯片。

12.如权利要求11所述的设备，其特征在于，所述第一数据值对应于第一二进制值或第二二进制值，并且所述第二数据值对应于所述第一二进制值或所述第二二进制值。

13.一种用于从包括耦合至多个存取晶体管的基于电阻的存储元件的存储器单元读取数据的方法，其中所述多个存取晶体管至多条源线的耦合配置存储第一数据值，而所述基于电阻的存储元件存储第二数据值，所述方法包括：

相对于位线偏置第一源线或第二源线，其中所述第一源线、所述第二源线和所述位线耦合至包括基于电阻的存储元件的存储器单元；

激活所述存储器单元的第一存取晶体管；以及

基于所述第一存取晶体管是否使得读取电流能够流过所述基于电阻的存储元件来检测第一数据值，其中所述第一数据值包括只读存储器(ROM)数据值，并且其中所述第二数据值包括随机存取存储器(RAM)数据值。

14.如权利要求13所述的方法，其特征在于，所述第一数据值对应于第一二进制值或第二二进制值，并且所述第二数据值对应于所述第一二进制值或所述第二二进制值。