[发明专利]有芯结构焊料凸点及其制造方法有效
申请号: | 201480053701.X | 申请日: | 2014-12-04 |
公开(公告)号: | CN105593980B | 公开(公告)日: | 2019-03-19 |
发明(设计)人: | 中川将;石川雅之;八十岛司 | 申请(专利权)人: | 三菱综合材料株式会社 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 朴圣洁;王珍仙 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 结构 焊料 及其 制造 方法 | ||
1.一种有芯结构焊料凸点,其形成于半导体基板上,所述有芯结构焊料凸点的特征在于,
所述焊料凸点由烧结芯及被覆于所述烧结芯周围的焊料金属的有芯结构构成,所述烧结芯形成于焊料凸点的内部且沿与半导体基板垂直的方向延伸,所述烧结芯由以焊膏的回流处理温度附近或其以下的温度烧结而成的烧结体构成,
所述烧结芯的高度低于所述凸点的高度,
所述烧结芯由第一群粉末和第二群粉末的粉末烧结体、合金烧结体或它们的混合烧结体构成,所述第一群粉末含有第一A群粉末及第一B群粉末中的至少任一个,所述第一A群粉末由选自Cu、Ag、Au、Pt、Pd、Ti、Ni、Fe和Co中的一种或两种以上的金属粉末构成,并且所述第一B群粉末由选自液相线温度为450℃以上的钎焊合金粉末及液相线温度为280℃以上的高温焊料合金粉末中的一种或两种以上的合金粉末构成。
2.一种有芯结构焊料凸点,其形成于半导体基板上,所述有芯结构焊料凸点的特征在于,
所述焊料凸点由烧结芯及被覆于所述烧结芯周围的焊料金属的有芯结构构成,所述烧结芯形成于焊料凸点的内部且沿与半导体基板垂直的方向延伸,所述烧结芯由以焊膏的回流处理温度附近或其以下的温度烧结而成的烧结体构成,
所述烧结芯的高度低于所述凸点的高度,
所述烧结芯由第一群粉末和第二群粉末的粉末烧结体、合金烧结体或它们的混合烧结体构成,所述第二群粉末含有第二A群粉末及第二B群粉末中的至少任一个,所述第二A群粉末由选自Sn、In、Bi和Ga中的一种或两种以上的金属粉末构成,并且,所述第二B群粉末由液相线温度为240℃以下的焊料合金的合金粉末构成。
3.一种有芯结构焊料凸点的制造方法,所述有芯结构焊料凸点形成于半导体基板上,所述制造方法的特征在于,
对形成于半导体基板上的焊盘电极或者凸点下金属的表面印刷涂布芯用浆料,并以焊膏的回流处理温度附近或其以下的温度对芯用浆料进行烧结,从而在焊盘电极或者凸点下金属的表面的大致中央部形成沿与所述半导体基板垂直的方向延伸的烧结芯,接着,以覆盖在焊盘电极或者凸点下金属的大致中央部形成的烧结芯整体的方式印刷涂布焊膏,并以焊膏的回流处理温度进行回流处理,从而在焊盘电极表面上或者凸点下金属的表面上形成有芯结构焊料凸点,所述烧结芯的高度低于所述凸点的高度,
所述烧结芯由第一群粉末和第二群粉末的粉末烧结体、合金烧结体或它们的混合烧结体构成,所述第一群粉末含有第一A群粉末及第一B群粉末中的至少任一个,所述第一A群粉末由选自Cu、Ag、Au、Pt、Pd、Ti、Ni、Fe和Co中的一种或两种以上的金属粉末构成,并且所述第一B群粉末由选自液相线温度为450℃以上的钎焊合金粉末及液相线温度为280℃以上的高温焊料合金粉末中的一种或两种以上的合金粉末构成。
4.一种有芯结构焊料凸点的制造方法,所述有芯结构焊料凸点形成于半导体基板上,所述制造方法的特征在于,
对形成于半导体基板上的焊盘电极或者凸点下金属的表面印刷涂布芯用浆料,并以焊膏的回流处理温度附近或其以下的温度对芯用浆料进行烧结,从而在焊盘电极或者凸点下金属的表面的大致中央部形成沿与所述半导体基板垂直的方向延伸的烧结芯,接着,以覆盖在焊盘电极或者凸点下金属的大致中央部形成的烧结芯整体的方式印刷涂布焊膏,并以焊膏的回流处理温度进行回流处理,从而在焊盘电极表面上或者凸点下金属的表面上形成有芯结构焊料凸点,所述烧结芯的高度低于所述凸点的高度,
所述烧结芯由第一群粉末和第二群粉末的粉末烧结体、合金烧结体或它们的混合烧结体构成,所述第二群粉末含有第二A群粉末及第二B群粉末中的至少任一个,所述第二A群粉末由选自Sn、In、Bi和Ga中的一种或两种以上的金属粉末构成,并且,所述第二B群粉末由液相线温度为240℃以下的焊料合金的合金粉末构成。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造