[发明专利]在EUV照射下没有膨胀的用于EUV光刻的反射镜毛坯

说明书

本发明涉及用于EUV反射镜的衬底，所述衬底具有过零温度的偏离统计分布的变化过程。此外，本发明涉及用于制造用于EUV反射镜的衬底的方法及其使用，其中所述衬底中的过零温度的变化过程与反射镜的运行温度适配，以及涉及在使用这种衬底的情况下的光刻方法。

技术领域

本发明涉及用于EUV反射镜的衬底，所述衬底的特色是：衬底的光学上所利用的表面上的过零温度的分布偏离统计分布并且衬底在表面上分别具有最小的和最大的过零温度。此外，本发明涉及用于制造用于EUV反射镜的衬底的方法，在所述方法中过零温度的不均匀的额定温度变化过程被预给定，以及涉及根据本发明的衬底在光刻法中的使用。

背景技术

在EUV光刻中高度集成的结构借助于电磁辐射被产生。在此，所采用的辐射的波长在大约13nm的范围中、即在极紫外光（EUV）的范围中变动。将EUV反射镜用于EUV投影系统，其中EUV反射镜具有至少一个衬底以及被施加在衬底上的反射性的多层涂层。衬底为此经常具有零膨胀材料和热膨胀的在衬底中不依赖于位置的过零温度。EUV反射镜当在EUV投影系统中在EUV反射镜中以极紫外辐射照射的情况下具有依赖于位置的运行温度。

反射镜衬底通常由高硅酸含量的以二氧化钛掺杂的玻璃构成。实际的反射镜通过对衬底的机械加工和以多层涂层对所述衬底进行涂层被获得。在此，EUV反射镜元件的最大（理论）反射率为大概70%，使得辐射能量的大约30%在涂层中或者在反射镜衬底的表面附近的层中被吸收并且在那里被转化成热量。进入到反射镜衬底中的辐射导致衬底的热体积变化，其中可能发生表面的变形。在1nm的范围中的最小的体积变化就已经可能导致成像质量的明显的恶化和失真。在此特别使围绕辐射的撞击面的表面区域承受负荷。

DE 10 2010 009 589 B4描述一种用于制造用于供EUV光刻中采用的反射镜衬底的由钛掺杂的、高硅酸含量的玻璃构成的坯件的方法。反射镜衬底具有要施加反射涂层（verspiegeln）的表面区域，其中用于表面区域的玻璃借助于火焰水解被产生并且被预给定的氢含量被调整。

US 2012/0264584 A1公开了用于EUV光刻投影系统的衬底，所述衬底具有两个不一致的表面，所述表面的过零温度相差至少5℃。

DE 10 2011 085 358 B3涉及用于EUV光刻的光学装置以及用于配置该光学装置的方法。所述光学装置、例如投影物镜在此包括两个分别具有不同热膨胀系数的反射镜衬底，所述反射镜衬底被布置，使得由反射镜的变形所造成的失真被补偿。

发明内容

增多地存在提供如下EUV反射镜衬底的需求，所述EUV反射镜衬底适于在EUV反射镜中采用并且尤其在半导体工业中实现微电子器件、例如集成电路的精确的加工。因此本发明的任务是提供用于EUV反射镜的衬底以及用于制造这种衬底的方法，所述衬底在所定义的EUV照射条件下、例如在EUV光刻方法中采用的情况下不具有膨胀或者至少仅具有最小的膨胀并且因此实现高的成像质量。

所述任务根据本发明通过如下方式被解决：衬底的依赖于位置的过零温度在衬底的表面上改变并且为所述过零温度预给定不均匀的、非统计的分布。该分布在理想情况下对应于反射镜的要预期的运行温度的分布。

因此，本发明的主题是用于EUV反射镜的衬底，所述衬底在表面上具有偏离统计分布的过零温度，其中所述衬底在表面上具有彼此偏离多于1.5K的最小过零温度（T_zcmin）和最大过零温度（T_zcmax）。

偏离统计分布的分布在本发明的意义上应被理解为非任意的、非线性的、不均匀的分布。优选地，过零温度依照所规定的变化过程和/或所规定的分布，所述变化过程或者所述分布遵循反射镜的运行温度的要预期的分布和/或要预期的变化过程。