[发明专利]具有发光二极管的光电子器件

权利要求书

1.一种光电子器件(5)，包括：

半导体硅衬底(10)，其没有掺杂或掺杂有第一导电类型；

第一导电类型的或与第一类型相反的第二导电类型的、并且比所述衬底掺杂更重的第一掺杂半导体硅区(14；14₁、14₂)，所述第一掺杂半导体硅区电连接到所述衬底，在所述衬底的内部或在与所述衬底相接触的所述衬底的顶部上延伸，所述第一掺杂半导体硅区包括表面(12)；

种子垫(16)，其与所述第一掺杂半导体硅区相接触，使得所述种子垫(16)倚靠在所述表面(12)上；

由所述第一掺杂半导体硅区支撑的第一发光二极管(DEL；DEL₁、DEL₂)的第一组件(A；A1、A2)，所述第一发光二极管包括具有线形、圆锥形或尖椎形的由III-V化合物制成的半导体元件并且与所述种子垫物理相接触；以及

与所述第一掺杂半导体硅区物理相接触的导电部分(36；36₁、36₂)，使得所述导电部分倚靠在所述表面(12)上。

2.根据权利要求1所述的光电子器件，其中，所述第一掺杂半导体硅区(14；14₁、14₂)通过一个或多个离子注入步骤来获得。

3.根据权利要求1所述的光电子器件，其中，所述第一掺杂半导体硅区(14、14₁、14₂)通过同质外延步骤来获得。

4.根据权利要求1至3中的任一项所述的光电子器件，还包括：至少部分透明的覆盖每个第一发光二极管(DEL)的第一电极层(30)和在所述第一发光二极管周围覆盖所述第一电极层的第一导电层(32；32₁、32₂)。

5.根据权利要求1至3中的任一项所述的光电子器件，还包括：沿着所述第一掺杂半导体硅区(14、14₁、14₂)的至少一个侧向边缘延伸的至少一个绝缘部分(52、76)。

6.根据权利要求1至3中的任一项所述的光电子器件，还包括：具有与所述第一掺杂半导体硅区(14)的导电类型相反的导电类型并且沿着所述第一掺杂半导体硅区(14)的至少一个侧向边缘延伸的至少一个第二掺杂半导体硅区(72)。

7.根据权利要求1至3中的任一项所述的光电子器件，其中，所述衬底(10)是单片的。

8.根据权利要求1至3中的任一项所述的光电子器件，其中，所述衬底(10)被划分成包含所述第一掺杂半导体硅区(14)的并且通过绝缘层(48)与所述衬底的剩余部分分隔的半导体层(44)。

9.根据权利要求1至3中的任一项所述的光电子器件，其中，所述衬底(10)的掺杂浓度小于或等于10¹⁵原子/cm³，并且所述第一掺杂半导体硅区(14)的掺杂浓度在从5*10¹⁶原子/cm³到2*10²⁰原子/cm³的范围中。

10.根据权利要求1至3中的任一项所述的光电子器件，还包括：至少部分地被形成在所述衬底(10)中的至少一个电子部件(92、112)。

11.根据权利要求10所述的光电子器件，其中，所述电子部件(92、112)属于包括二极管、双极型晶体管、金属氧化物半导体场效应管、电阻器、金属氧化物半导体电容、金属绝缘体金属电容、晶闸管、变容器、易失性存储器和非易失性存储器的组。

12.根据权利要求11所述的光电子器件，所述二极管包括稳压二极管、雪崩二极管。