[发明专利]半导体密封用环氧树脂组合物、半导体安装结构体及其制造方法

权利要求书

1.一种包覆成形用的半导体密封用环氧树脂组合物，其包含：

(A)100质量份的环氧树脂，所述环氧树脂含有10～45质量％的酚醛清漆型环氧树脂；

(B)50～150质量份的酸酐；

(C)2～12质量份的固化促进剂；

(D)5～50质量份的硅酮凝胶或硅油；以及

(E)平均粒径为2～30μm的熔凝硅石，

所述(E)熔凝硅石的含量为83～92质量％，

所述半导体密封用环氧树脂组合物在25℃下且剪切速度为2.5s^-1时的粘度为1000Pa·s以下，

所述半导体密封用环氧树脂组合物在固化物状态下，通过DMA法测定得到的玻璃化转变温度为120～220℃，且在25℃下的储存弹性模量为10～23GPa。

2.根据权利要求1所述的半导体密封用环氧树脂组合物，其中，所述酚醛清漆型环氧树脂为选自由双环戊二烯酚醛清漆型环氧树脂及联苯酚醛清漆型环氧树脂组成的组中的至少1种。

3.一种半导体安装结构体，其具备：

(a)具有多个元件搭载区域的半导体晶片基板；

(b)分别搭载在所述多个元件搭载区域上的多个半导体裸芯片；以及

(c)覆盖所述多个半导体裸芯片的表面且填充在所述半导体裸芯片彼此之间的包覆成形材料，

所述包覆成形材料为权利要求1或2所述的半导体密封用环氧树脂组合物的固化物。

4.根据权利要求3所述的半导体安装结构体，其中，具备填充于所述半导体晶片基板与所述半导体裸芯片之间的底部填充材料。

5.根据权利要求3或4所述的半导体安装结构体，其中，所述半导体晶片基板的厚度为50～1000μm，直径为8英寸以上。

6.一种单片化半导体安装结构体，其是将权利要求3～5中任1项所述的半导体安装结构体按照每个所述元件搭载区域进行单片化而得到的。

7.一种半导体安装结构体的制造方法，其包含下述工序：将权利要求1或2所述的半导体密封用环氧树脂组合物以覆盖所述多个半导体裸芯片的表面并填充在所述半导体裸芯片彼此之间的方式包覆成形于具有分别搭载有多个半导体裸芯片的多个元件搭载区域的半导体晶片基板上。

8.根据权利要求7所述的半导体安装结构体的制造方法，其中，所述包覆成形为压缩成形。

9.根据权利要求7或8所述的半导体安装结构体的制造方法，其中具备填充于所述半导体晶片基板与所述半导体裸芯片之间的底部填充材料。

10.一种单片化半导体安装结构体的制造方法，其包含以下工序：将通过权利要求7～9中任1项所述的制造方法得到的半导体安装结构体按照每个所述元件搭载区域进行切割而单片化。