[发明专利]生产氢气检测传感器的方法和所得传感器有效
| 申请号： | 201480054023.9 | 申请日： | 2014-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN105745529B | 公开（公告）日： | 2019-09-10 |
| 发明（设计）人： | 吉列尔莫·埃斯皮诺萨鲁达;诺拉·马汀兹桑斯;阿古斯丁·罗德里格斯冈萨雷斯艾力皮;佩德罗·卡斯蒂列罗杜兰;安赫尔·巴兰科科洛;弗朗西斯科·于贝洛瓦林西亚;胡安佩德罗·埃斯皮诺斯曼左拉;何塞·可迪诺包蒂斯塔;弗朗西斯科·加西亚加西亚 | 申请（专利权）人： | 阿本果太阳能新技术有限公司 |
| 主分类号： | G01N21/78 | 分类号： | G01N21/78;G01N33/22;C23C14/10;C23C14/35 |
| 代理公司： | 北京市浩天知识产权代理事务所(普通合伙) 11276 | 代理人： | 刘云贵 |
| 地址： | 西班牙塞维利亚市太阳*** | 国省代码： | 西班牙;ES |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 生产 氢气 检测 传感器 方法 所得 | ||
1.一种生产氢气检测传感器的方法，其特征在于其包含以下阶段：
阶段1：使用掠射角构形(GLAD)的物理气相沉积(PVD)在衬底上沉积活性氧化物以形成所述氧化物的多孔层；
阶段2：制备活性金属的前体化合物溶液；
阶段3：在阶段1中制备的所述氧化物的多孔层的表面上沉积阶段2中制备的所述溶液；
阶段4：在阶段1中制备的所述氧化层的孔隙中包含所述活性金属前体，外加使用热处理或使用光化处理分解所述金属前体。
2.根据权利要求1所述的生产氢气检测传感器的方法，其中在阶段2中制备的所述溶液中，其在阶段4使用热处理进行时进一步包含聚合载体。
3.根据权利要求2所述的生产氢气检测传感器的方法，其中所述载体以0.5与5重量％之间的浓度使用。
4.根据权利要求3所述的生产氢气检测传感器的方法，其中所述载体以1重量％的浓度使用。
5.根据权利要求2所述的生产氢气检测传感器的方法，其中所述载体为聚合物聚(甲基丙烯酸甲酯)(PMMA)。
6.根据权利要求1所述的生产氢气检测传感器的方法，其中沉积的所述活性氧化物选自简单氧化物和混合氧化物。
7.根据权利要求6所述的生产氢气检测传感器的方法，其中所述活性简单氧化物为包含选自IVB、VB、VIB、IIB、IIIA、IVA族的金属的金属氧化物。
8.根据权利要求7所述的生产氢气检测传感器的方法，其中所述活性简单氧化物选自包含以下的群组：WO3、MoO3、Ta2O5、TiO2、ZnO、V2O5、SnO2和In2O3。
9.根据权利要求6所述的生产氢气检测传感器的方法，其中所述活性混合氧化物由活性简单氧化物和中性氧化物的混合物形成。
10.根据权利要求9所述的生产氢气检测传感器的方法，其中所述中性氧化物选自包含SiO2和Al2O3的群组。
11.根据权利要求1所述的生产氢气检测传感器的方法，其中沉积所述氧化物中的所述掠射角在60°与90°之间。
12.根据权利要求1所述的生产氢气检测传感器的方法，其中阶段1中沉积的所述活性氧化层的厚度小于一微米。
13.根据权利要求12所述的生产氢气检测传感器的方法，其中阶段1中沉积的所述活性氧化层的厚度在200nm与600nm之间。
14.根据权利要求13所述的生产氢气检测传感器的方法，其中阶段1中沉积的所述活性氧化层的厚度为400nm。
15.根据权利要求1所述的生产氢气检测传感器的方法，其中所述活性金属前体选自卟啉，其具有所述活性金属核心和所述活性金属的盐。
16.根据权利要求1所述的生产氢气检测传感器的方法，其中所述活性金属选自包含钯(Pd)和铂(Pt)的群组。
17.根据权利要求1所述的生产氢气检测传感器的方法，其中用于制备阶段2的所述溶液的所述溶剂选自二氯甲烷和丙酮。
18.根据权利要求1所述的生产氢气检测传感器的方法，其中所述热处理在250℃与500℃之间的温度下进行。
19.根据权利要求18所述的生产氢气检测传感器的方法，其中所述热处理在350℃的温度下进行。
20.根据权利要求1所述的生产氢气检测传感器的方法，其中在阶段1中制备的所述氧化物的多孔层的表面上沉积阶段2中制备的所述溶液是使用选自旋涂和浸涂的技术进行。
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