[发明专利]用于实现电介质与有机材料之间的良好粘附的方法有效
| 申请号： | 201480054613.1 | 申请日： | 2014-09-15 |
| 公开（公告）号： | CN105593157B | 公开（公告）日： | 2018-03-20 |
| 发明（设计）人： | 迈克·雷诺 | 申请（专利权）人： | 卡文迪什动力有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙)11413 | 代理人： | 谢攀,刘继富 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 实现 电介质 有机 材料 之间 良好 粘附 方法 | ||
1.一种形成MEMS器件的方法，其包括：
在电极之上沉积基于有机物的牺牲层；
在所述基于有机物的牺牲层之上沉积富硅层，其中所述富硅层的硅含量大于化学计量的硅层的硅含量；
在所述富硅层之上沉积介电层；
在所述介电层之上形成可移动板；以及
移除牺牲层。
2.根据权利要求1所述的方法，其中富含硅的硅通过PECVD沉积。
3.根据权利要求2所述的方法，其中沉积所述富硅层包括将硅烷和含氧气体引入至加工室中。
4.根据权利要求3所述的方法，其中所述介电层包括氧化硅并且其中所述介电层通过PECVD沉积。
5.根据权利要求4所述的方法，其中含硅气体与含氧气体的比例在沉积所述富硅层时比在沉积所述介电层时高。
6.根据权利要求5所述的方法，其中所述含氧气体包括N2O。
7.根据权利要求6所述的方法，其还包括在沉积所述富硅层期间引入N2。
8.根据权利要求7所述的方法，其中所述富硅层包括多个层。
9.根据权利要求8所述的方法，其中所述富硅层具有大约1nm至大约3nm的厚度。
10.根据权利要求1所述的方法，其中所述富硅层含有氧化硅。
11.根据权利要求1所述的方法，其中沉积所述富硅层包括将硅烷和含氧气体引入至加工室中。
12.根据权利要求11所述的方法，其中含硅气体与含氧气体的比例在沉积所述富硅层时比在沉积所述介电层时高。
13.根据权利要求12所述的方法，其中所述含氧气体包括N2O。
14.根据权利要求13所述的方法，其还包括在沉积所述富硅层期间引入N2。
15.根据权利要求14所述的方法，其中所述富硅层包括多个层。
16.根据权利要求15所述的方法，其中所述富硅层具有大约1nm至大约3nm的厚度。
17.根据权利要求16所述的方法，其中所述富硅层含有氧化硅。
18.根据权利要求1所述的方法，其中所述富硅层包括多个层。
19.根据权利要求18所述的方法，其中所述富硅层具有大约1nm至大约3nm的厚度。
20.根据权利要求1所述的方法，其中所述富硅层具有大约1nm至大约3nm的厚度。
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