[发明专利]具有缓冲器-电容器的用于变换器的半导体堆叠

权利要求书

1.一种用于变换器(10)的半导体堆叠(18)，所述半导体堆叠(18)包括：

两个串联连接的半导体开关(S₁，S₂)；

用于连接单元电容器(C_dc)的两个接头(14，16)，所述两个接头(14，16)通过所述两个半导体开关(S₁，S₂)彼此连接；

至少一个在所述半导体开关(S₁，S₂)之间布置的冷却元件(20)；

框架(22)，通过所述框架(22)所述半导体开关(S₁，S₂)和所述冷却元件(20)彼此固定并且所述框架(22)提供接头；以及

至少两个缓冲器电容器(C_cl1，C_cl2)，所述至少两个缓冲器电容器(C_cl1，C_cl2)机械地固定到所述框架(22)，并且所述至少两个缓冲器电容器(C_cl1，C_cl2)并联连接，与所述接头相连并且空间上靠近所述半导体开关地布置在所述半导体堆叠的相反的侧上以便与所述半导体开关(S₁，S₂)一起形成两个平行的换向回路(12，12')。

2.如权利要求1所述的半导体堆叠(18)，包括：

至少四个机械地固定到所述框架(22)的缓冲器电容器(C_cl1，C_cl2，C_cl1'，C_cl2')。

3.如前述权利要求中的任一项所述的半导体堆叠(18)，

其中两个缓冲器电容器(C_cl1，C_cl1')空间上并排地布置在所述半导体堆叠的一侧上。

4.如权利要求1-2中的任一项所述的半导体堆叠(18)，

其中所述缓冲器电容器(C_cl1，C_cl2，C_cl1'，C_cl2')实施为同类型的。

5.如权利要求1-2中的任一项所述的半导体堆叠(18)，还包括：

缓冲器-二极管(D_cl)；和/或

缓冲器-电阻(R_S)和/或

扼流阀-电感(L_i)。

6.如权利要求1-2中的任一项所述的半导体堆叠(18)，包括：

第一对(S₁，S₂)和第二对(S₃，S₄)串联连接的半导体开关，其分别成对地与两个单元电容器(C_dc)相连；

至少两个机械地固定到所述框架(22)的第一缓冲器电容器(C_cl1，C_cl2，C_cl1'，C_cl2')，其并联连接并且分别与所述第一对(S₁，S₂)半导体开关一起形成换向回路；以及

至少两个机械地固定到所述框架(22)的第二缓冲器电容器(C_cl1，C_cl2，C_cl1'，C_cl2')，其并联连接并且分别与所述第二对(S₃，S₄)半导体开关一起形成换向回路。