[发明专利]树脂组合物、基底和制造电子装置的方法在审

专利信息
申请号: 201480054830.0 申请日: 2014-10-02
公开(公告)号: CN105593289A 公开(公告)日: 2016-05-18
发明(设计)人: 孙立民;张东;景蛟凯;法兰克·W·哈里斯;楳田英雄;片山敏彦;冈田润;井上美津穗;内藤学 申请(专利权)人: 亚克朗聚合物系统公司;住友电木株式会社
主分类号: C08L23/26 分类号: C08L23/26;C08J3/20;C08J3/24;C08K3/22;C08K3/26;C08L51/06;H01B3/00;H01B3/02;H01B3/44;H01B3/46;H01B7/02;H01B7/29;H01B13/14
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 顾晋伟;高世豪
地址: 美国俄亥俄*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 树脂 组合 基底 制造 电子 装置 方法
【权利要求书】:

1.一种树脂组合物,包含:

芳香族聚酰胺;和

溶解所述芳香族聚酰胺的溶剂,

其中所述树脂组合物用于形成层,并且所述层在355nm波长下的总透光率为10%或更 小。

2.根据权利要求1所述的树脂组合物,其中所述芳香族聚酰胺包含萘结构。

3.根据权利要求1所述的树脂组合物,其中所述芳香族聚酰胺包含羧基。

4.根据权利要求1所述的树脂组合物,其中所述芳香族聚酰胺是全芳香族聚酰胺。

5.根据权利要求1所述的树脂组合物,其中所述芳香族聚酰胺具有由以下通式(I)表示 的第一重复单元和由以下通式(II)表示的第二重复单元:

其中x表示所述第一重复单元的摩尔%,y表示所述第二重复单元的摩尔%,n表示1至4 的整数,Ar1由以下通式(III)表示;

(其中q=3并且R2和R3各自选自氢原子、卤素原子(氟原子、氯原子、溴原子和碘原子)、 烷基、经取代的烷基如卤代烷基、硝基、氰基、硫代烷基、烷氧基、经取代的烷氧基如卤代烷 氧基、芳基、经取代的芳基如卤代芳基、烷基酯基、经取代的烷基酯基、及其组合),Ar2由以 下通式(IV)或(V)表示;

(其中p=4,R6、R7和R8各自选自氢原子、卤素原子(氟原子、氯原子、溴原子和碘原子)、 烷基、经取代的烷基如卤代烷基、硝基、氰基、硫代烷基、烷氧基、经取代的烷氧基如卤代烷 氧基、芳基、经取代的芳基如卤代芳基、烷基酯基、经取代的烷基酯基、及其组合,并且G2选 自共价键、CH2基团、C(CH3)2基团、C(CF3)2基团、C(CX3)2基团(X表示卤素原子)、CO基团、氧原 子、硫原子、SO2基团、Si(CH3)2基团、9,9-芴基、经取代的9,9-芴基和OZO基团(Z表示芳基或 经取代的芳基,例如苯基、联苯基、全氟联苯基、9,9-双苯基芴基和经取代的9,9-双苯基芴 基)),并且Ar3由以下通式(VI)或(VII)表示;

(其中t=1至3,R9、R10和R11各自选自氢原子、卤素原子(氟原子、氯原子、溴原子和碘原 子)、烷基、经取代的烷基如卤代烷基、硝基、氰基、硫代烷基、烷氧基、经取代的烷氧基如卤 代烷氧基、芳基、经取代的芳基如卤代芳基、烷基酯基、经取代的烷基酯基、及其组合,并且 G3选自共价键、CH2基团、C(CH3)2基团、C(CF3)2基团、C(CX3)2基团(X表示卤素原子)、CO基团、 氧原子、硫原子、SO2基团、Si(CH3)2基团、9,9-芴基、经取代的9,9-芴基和OZO基团(Z表示芳 基或经取代的芳基,例如苯基、联苯基、全氟联苯基、9,9-双苯基芴基和经取代的9,9-双苯 基芴基))。

6.根据权利要求1所述的树脂组合物,其中所述芳香族聚酰胺的至少一端是封端的。

7.根据权利要求1所述的树脂组合物,其中所述树脂组合物还包含无机填料。

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