[发明专利]除草化合物在审
| 申请号： | 201480055222.1 | 申请日： | 2014-10-02 |
| 公开（公告）号： | CN105636439A | 公开（公告）日： | 2016-06-01 |
| 发明（设计）人： | M·费德特;R·索纳韦恩;J·A·莫里斯;J·E·波赫米尔;T·R·戴森;S·E·拉塞尔;K·凌;A·J·亨尼西;M·B·霍特森;A·朗斯塔夫;C·J·拉塞尔;J·古德温-廷达尔 | 申请（专利权）人： | 先正达参股股份有限公司;先正达有限公司 |
| 主分类号： | A01N43/50 | 分类号： | A01N43/50;A01N43/90;A01N53/00;A01P13/00;C07D401/04 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 张敏 |
| 地址： | 瑞士*** | 国省代码： | 瑞士;CH |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 除草 化合物 | ||
1.一种具有化学式(I)的除草化合物
其中
X选自S和O；
Ra选自氢和卤素；
Rb选自氢，卤素，C1-C4烷基，C2-C4烯基，C1-C4卤代烷基，C1-C6烷氧基，C2-C4烯氧基，C2-C4炔氧基，C1-C4烷氧基-C1-C4烷基，C1-C4卤代烷氧基，C1-C3烷氧基-C1-C3烷氧基，C1-C4烷硫基， C1-C4烷基亚磺酰基，C1-C4烷基磺酰基，基团R5R6N-，基团R5C(O)N(R6)-，基团R5S(O2)N(R6)-， 基团R5R6NSO2-，基团R5R6NC(O)-，任选地被一个或多个独立地选自卤素、硝基、氰基、C1-C3烷 基、C1-C3烷氧基、C1-C3卤代烷基和C1-C3卤代烷氧基的基团取代的芳基，任选地被一个或多 个独立地选自卤素、硝基、氰基、C1-C3烷基、C1-C3烷氧基、C1-C3卤代烷基和C1-C3卤代烷氧基 的基团取代的芳氧基以及任选地被一个或多个独立地选自卤素、硝基、氰基、C1-C3烷基、C1- C3烷氧基、C1-C3卤代烷基和C1-C3卤代烷氧基的基团取代的杂芳基；
Rc选自氢，卤素，C1-C8烷基，C1-C6卤代烷基，C2-C8烯基，C1-C6氰基烷基，C1-C6烷氧基，C1- C4烷氧基-C1-C4烷基，C1-C6羟基烷基，C2-C6烯氧基C1-C6烷基以及任选地被从1至3个独立地 选自氰基、C1-C3烷基和C1-C3烷氧基的基团取代的C3-C6环烷基；
Rd选自氢、卤素、氰基、C1-C6烷基以及C1-C6卤代烷基；
R1选自氢、羟基、C1-C4烷基、C2-C4烯基、C2-C4炔基、C1-C4氰基烷基、C3-C6环烷基、C1-C4烷 氧基、C1-C4烷氧基-C1-C4烷基以及C1-C4卤代烷基，并且R2选自氢、羟基、C1-C4烷基、C2-C4烯 基、C1-C4烷氧基、C2-C4烯氧基、C2-C4炔氧基、C1-C4烷氧基-C1-C4烷基、C1-C4烷氧基-C1-C4烷氧 基、C1-C4羟基烷基、C1-C4卤代烷基、C1-C3卤代烷氧基以及C1-C4氰基烷基，附带条件是当R1是 甲基时，R2不是H；
或R1和R2连同它们附接的氮和碳原子一起形成3-7元饱和或部分不饱和环，该环任选地 包含从1至3个独立地选自S、O和N的杂原子并且任选地被从1至3个独立地选自羟基、＝O、 C1-C6烷基和C1-C6卤代烷基的基团取代。
R3选自卤素、羟基、-NR14R15或以下基团中的任一个
R5和R6独立地选自氢、C1-C6烷基、C1-C6卤代烷基、C1-C6氰基烷基、C2-C6烯基、C2-C6炔基、 C1-C6烷氧基以及C1-C6烷氧基-C1-C6烷基，或R5和R6连同它们附接的碳原子一起形成3-6元饱 和或部分不饱和环，该环任选地包括从1至3个独立地选自S、O和N的杂原子并且任选地被从 1至3个独立地选自卤素和C1-C6烷基的基团取代；
R7和R8独立地选自氢，C1-C6烷基，C1-C6卤代烷基，C2-C6烯基，C2-C6炔基，任选地被1至3个 独立地选自C1-C3烷基、C2-C4烯基、C1-C3卤代烷基和C2-C4卤代烯基的基团取代的C3-C6环烷 基基团，包含从1至4个独立地选自N、O和S的杂原子并且任选地被1至3个独立地选自卤素、 C1-C3烷基、C1-C3卤代烷基和C1-C3烷氧基取代的可以是单环或双环的C5-C10杂环基基团，包 含从1至4个独立地选自N、O和S的杂原子并且任选地被1至3个独立地选自卤素、C1-C3烷基、 C1-C3卤代烷基和C1-C3烷氧基的基团取代的可以是单环或双环的C5-C10杂芳基基团，任选地 被1至3个独立地选自卤素、硝基、氰基、C1-C3烷基、C1-C3烷氧基、C1-C3卤代烷基和C1-C3卤代 烷氧基的基团取代的C6-C10芳基基团，任选地被1至3个独立地选自C1-C4烷基、C1-C3烷氧基、 C1-C3卤代烷基和基团-OC(O)-C1-C4烷基取代的C6-C10芳基烷基基团，或R7和R8连同它们附接 的原子一起形成3-6元饱和或部分不饱和环，该环任选地包含从1至3个独立地选自S、O和N 的杂原子并且任选地被从1至3个独立地选自卤素和C1-C6烷基的基团取代；
R9选自C1-C6烷基和任选地被1至3个独立地选自卤素、硝基、氰基、C1-C3烷基、C1-C3烷氧 基、C1-C3卤代烷基和C1-C3卤代烷氧基的基团取代的苄基；
R14和R15独立地选自氢、C1-C20烷基、C1-C20卤代烷基、C1-C20烷氧基、C1-C20烷氧基-C1-C20烷基、C2-C20烯基、C2-C20炔基以及苄基，或R14和R15连同它们附接的碳原子一起形成3-6元饱 和或部分不饱和环，该环任选地包括从1至3个独立地选自S、O和N的杂原子并且任选地被从 1至3个独立地选自卤素和C1-C6烷基的基团取代；
或其N-氧化物或盐形式。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于先正达参股股份有限公司;先正达有限公司，未经先正达参股股份有限公司;先正达有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201480055222.1/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：方便面的制造方法及方便面
- 下一篇：抗结块氯化锶的制备方法
