[发明专利]多层配线基板及其制造方法

权利要求书

1.一种多层配线基板，具有：将形成有内层配线的内层材料、绝缘层及上层配线用金属箔层叠一体化而形成的层叠体；贯通该层叠体的所述上层配线用金属箔和绝缘层的层间连接用孔；形成于该层间连接用孔的开口部的上层配线用金属箔的突出；在该金属箔的突出与所述层间连接用孔的内壁之间形成的下方空间；以及由填充电镀层填充所述层间连接用孔而成的层间连接，

填充所述层间连接用孔的填充电镀层至少形成有2层以上，

在形成于层间连接用孔的开口部的上层配线用金属箔的突出与所述层间连接用孔的内壁之间的下方空间被所述2层以上的填充电镀层中除最外层以外的任一层填充电镀层填充，并且，由除最外层以外的任一层填充电镀层所形成的层间连接的内部的最大直径与开口部的最小直径同等以上。

2.如权利要求1所述的多层配线基板，关于由所述2层以上的填充电镀层中除最外层以外的任一层填充电镀层所形成的所述层间连接，形成于层间连接用孔的开口部的上层配线用金属箔的突出与所述层间连接用孔的内壁之间的下方空间被填充电镀物填充，并且，呈层间连接的内部的最大直径大于开口部的最小直径的陶罐状。

3.如权利要求1或2所述的多层配线基板，填充所述层间连接用孔的填充电镀层形成有2层，

在形成于层间连接用孔的开口部的上层配线用金属箔的突出与所述层间连接用孔的内壁之间的下方空间被所述2层填充电镀层中下层的填充电镀层填充，并且，由下层的填充电镀层所形成的层间连接的内部的最大直径与开口部的最小直径同等以上。

4.如权利要求1或2所述的多层配线基板，所述层间连接用孔为贯通所述层叠体的上层配线用金属箔和绝缘层而及至内层配线的非贯通孔。

5.如权利要求1或2所述的多层配线基板，层间连接用孔的纵横比大于或等于1.0。

6.权利要求1所述的多层配线基板的制造方法，具有：

工序(1)，将形成有内层配线的内层材料、绝缘层及上层配线用金属箔层叠一体化，使用敷形法或直接激光法，在所述上层配线用金属箔和绝缘层中设置从所述上层配线用金属箔到内层配线的层间连接用孔、形成于该层间连接用孔的开口部的上层配线用金属箔的突出、以及在该金属箔的突出与所述层间连接用孔的内壁之间形成的下方空间；

工序(2)，在所述层间连接用孔内和上层配线用金属箔上形成基底无电解镀层后，通过形成填充电镀层来填埋所述层间连接用孔，从而形成将所述上层配线用金属箔与内层配线连接的层间连接；以及

工序(3)，对形成所述填充电镀层后的上层配线用金属箔进行配线形成，从而形成上层配线，

所述工序(2)中通过形成填充电镀层而进行的层间连接用孔的填埋如下进行：在填充电镀的中途使填充电镀的电流密度暂时降低，再使其增加。

7.如权利要求6所述的多层配线基板的制造方法，所述工序(2)中使填充电镀的电流密度暂时降低的时机为如下时机：关于层间连接的截面形状，形成于层间连接用孔的开口部的上层配线用金属箔的突出与所述层间连接用孔的内壁之间的下方空间被填充电镀物填充，并且，层间连接的内部的直径成为与开口部的直径同等以上时。

8.如权利要求6或7所述的多层配线基板的制造方法，所述工序(2)中使填充电镀的电流密度暂时降低的时机为如下时机：形成于层间连接用孔的开口部的上层配线用金属箔的突出与所述层间连接用孔的内壁之间的下方空间被填充电镀物填充，并且在形成镀层空洞之前。

9.如权利要求6或7所述的多层配线基板的制造方法，所述工序(2)中在填充电镀的中途使填充电镀的电流密度暂时降低时电流密度的降低率大于或等于即将使其降低之前的50％。

10.如权利要求6或7所述的多层配线基板的制造方法，所述工序(2)中在填充电镀的中途使填充电镀的电流密度暂时降低后再使其增加时的电流密度大于或等于即将使其暂时降低之前的电流密度。

11.如权利要求6或7所述的多层配线基板的制造方法，层间连接用孔为非贯通孔。