[发明专利]一种降低晶体管阵列中的寄生泄漏的方法、装置及设备

权利要求书

1.一种操作包括晶体管阵列的装置的方法，其中该装置包括：

第一导体层，所述第一导体层限定了多个源极导体，每个源极导体与相应的晶体管组相关联，以及限定了多个漏极导体，每个漏极导体均与相应的晶体管相关联，每个漏极导体包括漏电极和连接到漏电极的焊盘导体；

半导体层，所述半导体层限定了在所述晶体管阵列的源极导体与漏极导体之间的半导体沟道；

第二导体层，所述第二导体层限定了多个栅极导体，每个栅极导体均与相应的晶体管组相关联，以及限定了一个或更多个存储电容器导体，所述一个或更多个存储电容器导体与相应的晶体管组的漏极焊盘的整个面积重叠；

其中该方法包括：

使用栅极导体来使所述晶体管在接通和截止状态之间切换；以及

使用存储电容器导体来降低半导体层的一个或多个部分的导电性，所述半导体层的所述一个或多个部分将每个处于接通状态中的晶体管的漏极导体连接至与该晶体管相关联的源极和/或漏极导体之外的源极和/或漏极导体。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述半导体层在整个晶体管阵列上是未图案化的且连续的。

3.根据权利要求1所述的方法，其中与晶体管相关联的源极导体完全包围该晶体管的漏极导体。

4.一种包括晶体管阵列的装置，其中该装置包括：

第一导体层，所述第一导体层限定了多个源极导体，每个源极导体与相应的晶体管组相关联，以及限定了多个漏极导体，每个漏极导体均与相应的晶体管相关联；以及

半导体层，所述半导体层提供所述晶体管阵列的半导体沟道；

其中每个源极导体被配置为位于在与该源极导体相关联的漏极导体组和所有其它源极导体之间的经由所述半导体层的所有导电路径之间；

其中与源极导体相关联的漏极导体组沿第一方向延伸，并且每个源极导体包括在与所述源极导体相关联的所述漏极导体组的相对侧沿着所述第一方向延伸的两个线导体；并且

其中该装置还包括多个栅极导体，每个栅极导体电容性耦接至相应的晶体管组的半导体沟道，并且还电容性耦接至另一个晶体管组的漏极导体的一部分，该另一个晶体管组的半导体沟道电容性耦接至相邻的栅极导体；并且其中每个源极导体包括在与同一源极导体相关联的同一晶体管组中相邻的晶体管的漏极导体之间延伸的一个或更多个部分。

5.一种包括晶体管阵列的装置，其中该装置包括：

第一导体层，所述第一导体层限定了多个源极导体，每个源极导体与相应的晶体管组相关联，以及限定了多个漏极导体，每个漏极导体均与相应的晶体管相关联；以及

半导体层，所述半导体层提供所述晶体管阵列的半导体沟道；

其中每个源极导体被配置为位于在与该源极导体相关联的漏极导体组和所有其它源极导体之间的经由所述半导体层的所有导电路径之间；

其中晶体管的源极导体完全包围所述晶体管的漏极导体，以及(i)所述漏极导体包括径向向外延伸的突部，所述突部延伸进入到所述源极导体的径向向内的突部之间的区域中；或(ii)所述源极导体和所述漏极导体限定在所述漏极导体的中心周围延伸的叉指状的指状物。

6.根据权利要求4或5所述的装置，其中所述半导体层在整个晶体管阵列上是未图案化的且连续的。