[发明专利]基板中的硅注入及提供其硅前体组合物

权利要求书

1.一种在基板中注入硅和/或硅离子的方法，其包括：

从组合物生成硅或含硅离子，该组合物包含选自以下的硅前体：

(a)式SiR¹R²R³R⁴的甲硅烷，其中R¹、R²、R³和R⁴可各自独立地为： H；卤素(F、Cl、Br、I)；羟基；烷氧基；乙酰氧基；氨基；式C_nH_2n+1的烷基，其中n＝1-10，其任选地被羟基、烷氧基、乙酰氧基和/或氨基取 代；式C_nH_2n-1的环烷基、二环烷基和多环烷基，其中n＝1-10，其任选 地被羟基、烷氧基、乙酰氧基和/或氨基取代；包含C＝C键的式C_nH_2n的 烯基，其中n＝1-10，其任选地被羟基、烷氧基、乙酰氧基和/或氨基取代； 芳基，其包含苯基和芳族部分；亚烷基，其包含式＝CH₂和CR¹R²的官能 团，其中R¹和R²各自如以上所述，其任选地被羟基、烷氧基、乙酰氧基 和/或氨基取代；炔基，其包含式≡CH和≡CR的官能团，其中R为C₁-C₁₀烷基、羟基、卤素或烷基的氨基衍生物；或式-OOCR的酰氧基，其中R 为C₁-C₁₀烷基、羟基、卤素或烷基的氨基衍生物；

(b)包含至少一个Si-Si键的式Si_nH_y的乙硅烷和多硅烷，其中n＝1-8， 且对于非支链和支链而言y＝2n+2，对于环状化合物而言y＝2n，以及 相应的经取代的式Si_nR¹R²…R^y的乙硅烷和多硅烷，其中n＝1-8，且R¹、 R²…R^y各自如以上对于R¹、R²、R³和R⁴的各个所述；

(c)式H₃Si-X-SiH₃的桥连硅前体，其中X为-CR¹R²-、GeR¹R²-、-NR-、 -PR-、-O-、-S-、-SR¹R²-和-Se-，其中R、R¹和R²各自如上所述，以及 相应的经取代的式R¹R²R³Si-X-SiR⁴R⁵R⁶的硅前体，其中X如以上所述， 且R¹、R²…R⁶各自如以上对于R¹、R²、R³和R⁴的各个所述；

(d)式H₃Si-X-SiH₂-Y-SiH₂-…Z-SiH₃或含有Si-Si键的多桥连支链和环 状硅前体，其中X为-CR¹R²-、GeR¹R²-、-NR-、-PR-、-O-、-S-、-SR¹R²- 和-Se-，其中R、R¹和R²各自如以上所述，以及相应的经取代的支链硅 前体，其中X、Y和Z＝C或N，以及相应的环状硅前体；

(e)式H₂Si＝SiH₂的硅烯，以及相应的经取代的式R¹R²Si＝SiR³R⁴的硅 烯，其中R¹、R²、R³和R⁴各自如以上所述；以及

(f)式HSi≡SiH的硅炔，以及相应的经取代的式R¹Si≡SiR²的硅炔，其 中R¹和R²如以上所述；

(g)簇硅化合物；

(h)包含一种或多种上述前体的预混合物或共流混合物；以及

(i)一种或多种上述前体，其中所述组合物包含气体，该气体经同位素 富集而使其中至少一种同位素丰度高于天然丰度；

其中该组合物并不是仅由以下组成：(1)四氟化硅、(2)硅烷、(3)四氟 化硅和硅烷的混合物或(4)四氟化硅、氙和氢；以及

在基板中注入硅或硅离子。