[发明专利]太阳能电池及其制造方法有效
申请号: | 201480057453.6 | 申请日: | 2014-09-17 |
公开(公告)号: | CN105684160B | 公开(公告)日: | 2018-08-28 |
发明(设计)人: | 权珍浩 | 申请(专利权)人: | LG伊诺特有限公司 |
主分类号: | H01L31/032 | 分类号: | H01L31/032;H01L31/0352;H01L31/0749;H01L31/18 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 达小丽;夏凯 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能电池 及其 制造 方法 | ||
1.一种太阳能电池,包括:
支撑基板;
在所述支撑基板上的背电极层;
在所述背电极层上的光吸收层;
在所述光吸收层上的缓冲层;
在所述缓冲层上的前电极层;
通过所述背电极层和所述光吸收层形成的第一通孔,以及
通过所述光吸收层和所述缓冲层形成的第二通孔,
其中,所述第一通孔与所述第二通孔隔开,
其中,在所述背电极层和所述光吸收层之间形成阶差,
其中,所述支撑基板的顶表面、所述背电极层的侧表面和所述光吸收层的侧表面通过所述第一通孔暴露,
其中,所述缓冲层被布置在所述第一通孔内侧,
其中,所述第一通孔部分地填充有缓冲层,
其中,在所述第一通孔中的缓冲层接触通过所述第一通孔暴露的所述支撑基板的顶表面、所述背电极层的侧表面和所述光吸收层的侧表面,
其中,在被填充到所述第一通孔中时形成了前电极层,
其中,所述前电极被形成在所述第一通孔中形成的缓冲层的顶表面和所述第一通孔中形成的缓冲层的侧表面上。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池,其中,所述光吸收层的侧表面朝向所述第一通孔延伸超过所述背电极层的侧表面。
3.根据权利要求1所述的太阳能电池,其中,在所述背电极层和所述光吸收层之间的阶差填充有所述缓冲层。
4.根据权利要求1所述的太阳能电池,其中,在所述背电极层和所述光吸收层之间的阶差具有倒阶梯形状。
5.根据权利要求1所述的太阳能电池,其中,所述缓冲层包括:
在所述光吸收层和所述前电极层之间的第一缓冲层;以及
在所述背电极层和所述前电极层之间的第二缓冲层。
6.根据权利要求5所述的太阳能电池,其中,所述第二缓冲层的宽度大于所述第一缓冲层的宽度。
7.根据权利要求1所述的太阳能电池,其中,在所述第一通孔中,在所述背电极层的侧表面和所述前电极层的侧表面之间的第一距离(D1)长于在所述光吸收层的侧表面和所述前电极层的侧表面之间的第二距离(D2)。
8.根据权利要求7所述的太阳能电池,其中,在所述第一距离和所述第二距离之间的比率(D1:D2)在2:1到200:1的范围中。
9.一种太阳能电池,包括
支撑基板;
在所述支撑基板上的背电极层;
在所述背电极层上的光吸收层;
在所述光吸收层上的缓冲层;
在所述缓冲层上的前电极层;
通过所述背电极层和所述光吸收层形成的第一通孔,以及
通过所述光吸收层和所述缓冲层形成的第二通孔,
其中,所述第一通孔与所述第二通孔隔开,
其中,所述支撑基板的顶表面、所述背电极层的侧表面和所述光吸收层的侧表面通过所述第一通孔暴露,
其中,所述光吸收层与所述背电极层的顶表面和侧表面进行接触,
其中,所述缓冲层被布置在所述第一通孔内侧,
其中,所述第一通孔部分地填充有缓冲层,
其中,在所述第一通孔中的缓冲层接触通过所述第一通孔暴露的所述支撑基板的顶表面、所述背电极层的侧表面和所述光吸收层的侧表面,
其中,在被填充到所述第一通孔中时形成了前电极层,
其中,所述前电极被形成在所述第一通孔中形成的缓冲层的顶表面和所述第一通孔中形成的缓冲层的侧表面上。
10.根据权利要求9所述的太阳能电池,其中,所述光吸收层与所述背电极层进行直接接触。
11.根据权利要求9所述的太阳能电池,其中,所述光吸收层具有倒L形状。
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