[发明专利]实质上由锌、锡和氧组成的氧化物的蚀刻液和蚀刻方法有效
申请号: | 201480057455.5 | 申请日: | 2014-10-23 |
公开(公告)号: | CN105659365B | 公开(公告)日: | 2020-07-31 |
发明(设计)人: | 茂田麻里;夕部邦夫 | 申请(专利权)人: | 三菱瓦斯化学株式会社 |
主分类号: | H01L21/308 | 分类号: | H01L21/308;C09K13/04 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;李茂家 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 实质上 组成 氧化物 蚀刻 方法 | ||
1.一种蚀刻方法,其是使用蚀刻液对包含氧化物的基板进行蚀刻的方法,所述氧化物实质上由锌、锡和氧组成,所述蚀刻液为实质上由锌、锡和氧组成的氧化物的蚀刻中使用的蚀刻液,其包含:(A)选自由硫酸、甲磺酸和它们的盐组成的组中的1种以上和水,pH值为-1~0.7,且该蚀刻液的铜、铝、钼和钛在35℃的蚀刻速率小于2nm/分钟,实质上由锌、锡和氧组成是指,氧化物中所含的锌、锡和氧的含量的总和为99质量%以上。
2.根据权利要求1所述的蚀刻方法,所述蚀刻液还包含(B)羧酸,其中,不包括草酸。
3.根据权利要求2所述的蚀刻方法,其中,(B)羧酸为选自由乙酸、乙醇酸、丙二酸、马来酸、琥珀酸、苹果酸、酒石酸、甘氨酸和柠檬酸组成的组中的1种以上。
4.根据权利要求1~3中任一项所述的蚀刻方法,所述蚀刻液还包含(C)聚磺酸化合物。
5.根据权利要求4所述的蚀刻方法,其中,(C)聚磺酸化合物为选自由萘磺酸福尔马林缩合物或其盐、聚氧乙烯烷基醚硫酸盐和聚氧乙烯烷基苯基醚硫酸盐组成的组中的1种以上。
6.根据权利要求1~3中任一项所述的蚀刻方法,所述(A)选自由硫酸、甲磺酸和它们的盐组成的组中的1种以上的浓度为2~15质量%。
7.根据权利要求1~3中任一项所述的蚀刻方法,所述(A)选自由硫酸、甲磺酸和它们的盐组成的组中的1种以上为硫酸。
8.根据权利要求2或3所述的蚀刻方法,在所述蚀刻液中,所述(B)羧酸的浓度以基于羧酸基的浓度计为1~12质量%,所述(B)羧酸不包括草酸。
9.根据权利要求4所述的蚀刻方法,在所述蚀刻液中,所述(C)聚磺酸化合物的浓度为0.001~5质量%。
10.一种显示设备,其是通过权利要求1~9中任一项所述的蚀刻方法而制造的。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造