[发明专利]气体阻隔性膜

说明书

技术领域

本发明涉及气体阻隔性膜。

背景技术

以往，在塑料基板、膜的表面形成了含有氧化铝、氧化镁、氧化硅等的金属氧化物 的薄膜(气体阻隔层)的气体阻隔性膜，在食品、医药品等的领域中在将物品包装的用途中 使用。通过使用气体阻隔性膜，可以防止水蒸汽、氧等的气体引起的物品的变质。

近年来，对于这样的防止水蒸汽、氧等的透过的气体阻隔性膜，希望向有机电致发 光(EL)元件、液晶显示(LCD)元件等电子器件中展开，进行了大量的研究。在这些电子器件 中，要求高气体阻隔性、例如与玻璃基材匹敌的气体阻隔性。

作为制造气体阻隔性膜的方法，已知利用了采用蒸镀法的无机成膜方法的方法。 作为该采用蒸镀法的无机成膜方法，可列举PVD法(PVD：PhysicalVaporDeposition：物理 气相生长法、物理蒸镀法)。

例如，在日本特开2011-241421号公报中，公开了使用PVD法而包含薄膜的平均粒 径为20nm以下的硅氧化物的薄膜的气体阻隔性膜。

就PVD法而言，气相系内的颗粒容易产生。另外，在使用PVD法的情况下，在薄膜的 生长过程中，一般进行柱状的生长、岛状的生长，因此在膜中产生晶粒间界，显现高的阻隔 性是困难的。

另外，作为采用蒸镀法的无机成膜方法，也使用CVD法(ChemicalVapor Deposition：化学气相生长法、化学蒸镀法)。例如日本特开2011-73430号公报中记载了通 过采用在一对成膜辊间放电而产生等离子体的等离子体化学气相生长法形成了的氧碳化 硅膜，气体阻隔性能和弯曲性能提高。

另一方面，为了弥补上述通过PVD法、CVD法而成膜了的金属氧化物层的不充分的 气体阻隔性能，在日本特开2005-119155号公报和日本特开2009-113355号公报中，使以聚 乙烯醇和烷氧基硅烷作为主成分的溶胶凝胶涂层在通过蒸镀法而形成了的氧化硅膜上层 叠。

另外，同样地，为了将通过PVD法、CVD法而成膜了的金属氧化物层的缺陷部分被 覆，在美国专利申请公开第2009/029056号说明书中，在通过蒸镀法形成了的阻隔层上涂布 全氢聚硅氮烷的溶液、使其固化，由此使氧化硅的层层叠。

发明内容

但是，上述专利文献中记载的气体阻隔性膜的气体阻隔性能尚未充分地满足需 要，另外也没有充分地抑制弯曲时的气体阻隔性能的下降。进而，构成膜的层间的密合性也 不充分。

本发明鉴于上述课题而完成，本发明的目的在于提供气体阻隔性能优异、构成气 体阻隔性膜的层彼此的密合性提高、进而即使将气体阻隔性膜弯曲也抑制气体阻隔性能的 下降的气体阻隔性膜。

为了实现上述的目的中的至少一个，反映了本发明的一方面的气体阻隔性膜依次 包含基材；通过等离子体化学气相生长法而形成、含有硅、氧及碳的第1层；和对涂布含有聚 硅氮烷的液体所形成的涂膜进行改性处理而得到的第2层，构成第1层的最表面的粒子的平 均粒径为10～40nm。

附图说明

图1为表示本发明涉及的第1层的形成中使用的制造装置的一例的示意图。

图2为作为将本发明涉及的气体阻隔性膜作为密封膜而使用了的电子器件的有机 EL面板的一例。

具体实施方式

本发明的一实施方式(第一实施方式)为气体阻隔性膜，其依次包含：基材；通过等 离子体化学气相生长法而形成、含有硅、氧及碳的第1层；和对涂布含有聚硅氮烷的液体所 形成的涂膜进行改性处理而得到的第2层，构成第1层的最表面的粒子的平均粒径为10～ 40nm。

本实施方式的气体阻隔性膜具有优异的气体阻隔性，且即使弯曲后也显示充分的 气体阻隔性能。另外，由于构成气体阻隔性膜的层彼此的密合性高，因此起因于层叠结构内 的层间剥离的气体阻隔性能的下降受到抑制。

如上述那样，为了填补蒸镀膜的气体阻隔性能，例如，以往使涂布全氢聚硅氮烷而 使其固化了的膜层叠于蒸镀膜。