[发明专利]硅晶片用研磨液组合物

权利要求书

1.一种硅晶片用研磨液组合物，其含有二氧化硅粒子0.07～0.5质量％、含氮碱性化合物及水溶性高分子，

所述水溶性高分子包含下述通式(1)所表示的结构单元，

于所述水溶性高分子中，源自羟基的氧原子数与源自聚氧亚烷基的氧原子数之比以源自羟基的氧原子数/源自聚氧亚烷基的氧原子数计为0.8～10，

所述二氧化硅粒子与所述水溶性高分子的质量比以所述二氧化硅粒子的质量/所述水溶性高分子的质量计为3以上且38以下，

其中，所述通式(1)中，R¹为亚甲基或键合键，R²、R³、R⁴、R⁵分别独立地为氢原子、羟基、-CH₂OH或聚乙烯醇，但R²、R³、R⁴、R⁵各自不全部同时为氢原子、羟基、或-CH₂OH。

2.如权利要求1所述的硅晶片用研磨液组合物，其中，

所述水溶性高分子为聚乙烯醇-聚乙二醇接枝共聚物，所述聚乙烯醇-聚乙二醇接枝共聚物以聚乙烯醇为侧链、以聚乙二醇为主链。

3.如权利要求2所述的硅晶片用研磨液组合物，其中，

所述聚乙烯醇-聚乙二醇接枝共聚物的重均分子量为1万以上且15万以下。

4.如权利要求1所述的硅晶片用研磨液组合物，其中，

所述水溶性高分子为聚缩水甘油和/或聚缩水甘油衍生物。

5.如权利要求4所述的硅晶片用研磨液组合物，其中，

所述聚缩水甘油及聚缩水甘油衍生物的重均分子量为3000以上且15万以下。

6.如权利要求1所述的硅晶片用研磨液组合物，其中，

所述水溶性高分子为聚甘油和/或聚甘油衍生物。

7.如权利要求6所述的硅晶片用研磨液组合物，其中，

所述水溶性高分子为聚甘油。

8.如权利要求6所述的硅晶片用研磨液组合物，其中，

所述聚甘油及聚甘油衍生物的重均分子量为500以上且5万以下。

9.如权利要求6所述的硅晶片用研磨液组合物，其中，

所述聚甘油及聚甘油衍生物的重均分子量为2000以上且5万以下。

10.如权利要求1至9中任一项所述的硅晶片用研磨液组合物，其中，

所述水溶性高分子的含量为0.1质量％以下。

11.如权利要求1至9中任一项所述的硅晶片用研磨液组合物，其中，

所述二氧化硅粒子的缔合度为1.1～3.0。

12.如权利要求1至9中任一项所述的硅晶片用研磨液组合物，其中，

所述含氮碱性化合物为氨。

13.如权利要求1至9中任一项所述的硅晶片用研磨液组合物，其中，

所述水溶性高分子的含量为0.001质量％以上且0.1质量％以下。

14.如权利要求1至9中任一项所述的硅晶片用研磨液组合物，其中，

所述比以源自羟基的氧原子数/源自聚氧亚烷基的氧原子数计为1～7.8。

15.一种硅晶片的研磨方法，其包含使用权利要求1至14中任一项所述的硅晶片用研磨液组合物对硅晶片进行研磨的研磨工序。

16.一种半导体基板的制造方法，其包含使用权利要求1至14中任一项所述的硅晶片用研磨液组合物对硅晶片进行研磨的研磨工序。

17.权利要求1至14中任一项所述的硅晶片用研磨液组合物在硅晶片研磨中的应用。