[发明专利]超声波探头及超声波处理装置有效

专利信息
申请号: 201480058233.5 申请日: 2014-11-28
公开(公告)号: CN105658161B 公开(公告)日: 2018-05-22
发明(设计)人: 铜庸高 申请(专利权)人: 奥林巴斯株式会社
主分类号: A61B18/00 分类号: A61B18/00;A61B18/12
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人: 刘新宇;张会华
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 超声波 探头 处理 装置
【权利要求书】:

1.一种超声波探头,其中,该超声波探头包括:

探头主体部,其沿着长度轴线延伸设置,用于从基端方向向顶端方向传递超声波振动;

处理部,其设于所述探头主体部的顶端部;

绝缘层部,其在所述探头主体部的外表面上从所述处理部朝向所述基端方向涂覆;

第1电极部,其以至少一部分在所述处理部上暴露于外部的状态设于所述绝缘层部的外表面,该第1电极部具有传递高频电力的导电性,并用于施加所述高频电力;

第2电极部,其以至少一部分在所述处理部上暴露于所述外部的状态设置,并作为与所述第1电极部不同的电极发挥作用,并且其与所述第1电极部之间因所述绝缘层部而电绝缘,通过使所述探头主体部传递所述超声波振动,从而第2电极部与所述探头主体部、所述绝缘层部以及所述第1电极部一体振动;以及

第1绝缘涂覆部,其从所述处理部朝向所述基端方向形成,并且由电绝缘材料形成,在所述处理部上该第1绝缘涂覆部覆盖所述第1电极部的除暴露于所述外部的暴露部分以外的部位。

2.根据权利要求1所述的超声波探头,其中,

所述探头主体部通过传递所述超声波振动而以预定的共振频率振动,

在将从所述探头主体部的顶端到所述基端方向的尺寸成为所述预定的共振频率下的所述超声波振动的四分之一波长的位置设为基准位置时,所述绝缘层部延伸设置至比所述基准位置靠基端方向侧的部位,

所述第1电极部的基端位于比所述绝缘层部的基端靠顶端方向侧的位置。

3.根据权利要求2所述的超声波探头,其中,

所述第1电极部朝向所述基端方向至少延伸设置至所述基准位置,

所述第1绝缘涂覆部的基端位于比所述基准位置靠所述顶端方向侧的位置。

4.根据权利要求1所述的超声波探头,其中,

所述第2电极部设于所述绝缘层部的外表面。

5.根据权利要求4所述的超声波探头,其中,

所述探头主体部通过传递所述超声波振动而以预定的共振频率振动,

在将从所述探头主体部的顶端到所述基端方向的尺寸成为所述预定的共振频率下的所述超声波振动的四分之一波长的位置设为基准位置时,所述绝缘层部延伸设置至比所述基准位置靠基端方向侧的部位,

所述第1电极部的基端和所述第2电极部的基端位于比所述绝缘层部的基端靠顶端方向侧的位置。

6.根据权利要求5所述的超声波探头,其中,

该超声波探头还包括:

第2绝缘涂覆部,其从所述处理部朝向所述基端方向形成,并且由电绝缘材料形成,在所述处理部上该第2绝缘涂覆部覆盖所述第2电极部的除暴露于所述外部的暴露部分以外的部位。

7.根据权利要求6所述的超声波探头,其中,

所述第1电极部和所述第2电极部朝向所述基端方向至少延伸设置至所述基准位置,

所述第1绝缘涂覆部的基端和所述第2绝缘涂覆部的基端位于比所述基准位置靠所述顶端方向侧的位置。

8.根据权利要求4所述的超声波探头,其中,

在将与所述长度轴线垂直的方向的一方向设为第1垂直方向、将与所述第1垂直方向相反的方向设为第2垂直方向时,所述绝缘层部包括外表面朝向所述第1垂直方向的第1绝缘表面部和外表面朝向所述第2垂直方向的第2绝缘表面部,

所述第1电极部设于所述第1绝缘表面部,

所述第2电极部设于所述第2绝缘表面部。

9.根据权利要求8所述的超声波探头,其中,

在将与所述长度轴线垂直、并且与所述第1垂直方向和所述第2垂直方向垂直的方向的一方向设为第3垂直方向时,所述处理部包括相对于所述长度轴线方向向所述第3垂直方向弯曲、并朝向所述第3垂直方向突出的弯曲突出部,

所述第1电极部在所述第1绝缘表面部中从所述弯曲突出部朝向所述基端方向延伸设置,

所述第2电极部在所述第2绝缘表面部中从所述弯曲突出部朝向所述基端方向延伸设置。

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