[发明专利]用于测量污染水平的多采样端口监测装置和使用该装置的监测方法

说明书

技术领域

本发明涉及用于测量预定空间中的污染水平的多采样端口监测装置以及使用该 多采样端口监测装置的监测方法，更具体地，涉及能够通过下述方式来有效地监测广阔空 间中的污染水平的多采样端口监测装置以及使用该多采样端口监测装置的监测方法：包括 多个采样端口，使得在被测空间中的若干点处吸取气体；测量从多个采样端口吸取的气体 的平均污染水平；以及在平均污染水平超出预定范围的情况下允许单独地或者局部地测量 从采样端口吸取的气体的污染水平。

背景技术

洁净室，在其中执行半导体制造工艺等的地方，根据洁净度被划分成若干类，洁净 度由每单位面积中存在的以及具有预定尺寸的颗粒的数目来确定，并且应该通过精确测量 来经常识别污染原因，以始终保持并且管理洁净度的预定水平。

因此，应该识别并且经常测量可能影响洁净度的重要部分，并且应该能够通过有 规律地测量洁净室中的若干地方来预测偶然情况。此外，在洁净室中，重要的是恒定地保持 并且管理温度、湿度和压力以及通过分析颗粒来识别洁净度。

通常，在半导体制造设施的洁净室中，颗粒测量装置被用于测试洁净室的过滤器 的泄漏以及测量洁净室的内部颗粒。当设置在洁净室的天花板上的过滤器被安装之后，该 过滤器由于内部和外部的变化而损坏，使得该过滤器的过滤功能可能劣化。

因此，需要测试过滤器的泄漏，以验证稳定的洁净室保证和半导体器件的可靠性 保证。泄漏的测试通过下述方案来执行：在与过滤器的下端保持预定距离的同时扫描过滤 器的表面，并且测量从过滤器排出的气体中存在的颗粒的数目。

作为与此相关的技术，韩国专利公开公报第2006-0036687号(公开于2006年5月2 日，题为“ParticleProbeApparatusforCleanRoom”)已被公开。

然而，由于在其中执行各种半导体工艺的洁净室具有非常广阔的空间，因此通过 在特定点处安装传感器来测量污染水平的方法不适合用来测量在广阔空间中的污染水平。

测量浓度的方法难以通过在特定点处安装传感器来表示广阔空间中的浓度，因为 传感器仅测量该特定点处的浓度。在安装若干传感器以解决该问题的情况下，在覆盖该广 阔空间时过度增加了经济负担。

为了解决这个问题，已经提出了在一个测量仪器中形成多个采样端口并且测量多 个采样端口中的浓度的技术。然而，由于多个采样端口中的浓度由一个测量仪器顺序地测 量，因此存在花费非常长的时间的缺点。

[相关技术文献]

[专利文献]

韩国专利公开公报第2006-0036687号(公开于2006年5月2日，题为‘Particle ProbeApparatusforCleanRoom’)

发明内容

技术问题

本发明的目的是提供一种能够通过以下方式来有效地监测广阔空间中的污染水 平的多采样端口监测装置以及使用该多采样端口监测装置的监测方法：包括多个采样端 口，使得在被测空间中的若干点处吸取气体；测量从多个采样端口吸取的气体的平均污染 水平；以及在平均污染水平超出预定范围的情况下允许单独测量从采样端口吸取的气体的 污染水平。

问题的解决方案

在一个一般方面中，一种用于测量被测空间中的污染水平的多采样端口监测装置 包括：多个采样端口100，其被设置成使得在被测空间中的若干点处吸取气体；吸气管200， 其连接至每个采样端口100；歧管300，其从吸气管200分岔；混合部件500，其连接至吸气管 200和歧管300的端部以收集并混合所吸取的气体；检测部件600，其测量通过混合部件500 然后被引入到检测部件600中的气体的污染水平；第一控制阀410，其连接至吸气管200；第 二控制阀420，其连接至歧管；以及控制部件，其控制第一控制阀410、第二控制阀420和检测 部件600，其中，控制部件执行控制以打开第一控制阀410，从而允许测量从多个采样端口 100吸取的气体的平均污染水平，或者关闭第一控制阀410并且打开多个第二控制阀420中 的至少一个，使得气体朝歧管300流动，从而允许测量从采样端口100吸取的气体的污染水 平。